转换速率是由于初级的偏置电G6B-1114P-US-9V流对于补偿电容的电压变化率的限制。企图改善转换速率，却因为稳定性会受到影响而进退两难。两难之处在于“双极晶体管的跨导g。与集电极电流I。成比例”。所以，要解决这个难点，就必须拆除晶体管的g。与I。的联系。方法之一，是使用不具有这种关系的诸如MOS-FET那样的器件，不过使用双极晶体管也有几个解决的办法。其中之一就是给发射极追加串联电阻，等效地降低晶体管的g。。这个方法称为发射极退化(emitter degeneration).
    双极晶体管，就像在第5章介绍过的那样，由于从发射极来看具有1／g。的电阻，例如给发射极追加1／g。的电阻：流过同样的集电极电流，那么基极一发射极之间所加的电压就是没有电阻时的一半，这样就把等效的跨导的值减少了一半。
    这里使用发射极退化的方法，使初级的晶体管跨导减少一半，对转换速率进行改善。如果初级的晶体管跨导变为一芈，那么由于为了稳定性而使用的补偿电容量就变为1／2倍，转换速率当然就改善了2倍。
    为了进行发射极退化，首先需要计算电阻值。由于初级的晶体管Q．和Q2分别流过0. 5mA的集电极电流，所以两个晶体管各自的跨导。

        
    所以，给发射极串联追加52J的电阻，就可以使跨导降低一半。为了在跨导减少一半时仍然能够确保同样的GB积，需要把补偿电容量Cl从原来的200pF减少一半到lOOpF。这样进行变更的电路示于图7.19。
    对这个电路进行模拟，看看转换速率是否像设计的那样得到改善（图7.20）。首先考查反馈电路基本特性的环路增益，可以看到直流增益是85. 6dB，GB积是2.8MHz，零交叉频率是2.7MHz，相位余量是68^。。直流增益因初级的增益减少一半而降低6dB，GB积、零交叉频率、相位余量都没有怎么变化。所以，稳定性就像预想的那样几乎没有变化。