注入到基区的少数载流G5NB-1A-E DC5子的量，由基极一发射极间电压V BE决定，由于注入量决定了集电极电流的大小，所以集电极电流J。与基极电流IB具有确定的倍数的关系。令这个确定的倍数为p，那么集电极电流就可以写为
    Ic=piB    (2.8)
    式(2.8)中的口也记作h，。（直流电流放大倍数），其值通常是50～500。但是，由于在晶体管的制造过程中存在较大的分散性，所以在设计上通常不以卢的值为设计依据。
    在PSpice中，卢由器件参数BF决定，模拟时使用的晶体管模型QNDEF中，没有被特别的指定，所以使用规定值BF=100。在图2.3中，集电极电流厶、正好是基极电流IB的100倍，也就是这个理由。
    发射极电流与集电极电流相等
    也不要忘记发射极电流。根据基尔霍夫定律，流入节点的电流的总和为零。考虑到发射极电流的方向是从发射极流出的方向，所以有
    晶体管的工作状态
    把以上得到的结果归纳起来，就可以得到如图2.7示出的晶体管工作时的电压与电流的动作状态：
    (1)基极一发射极间电压大约是0.7V。
    (2)集电极电压比发射极电压高0.2V以上，至于高多少，由外部的电路决定（集电极电压是随意的）。
    (3)集电极电流≈发射极电流。
    (4)口为100时，基极电流是集电极电流的1/100。