1．共模抑制比
    在光电耦合器内部，由于发光二极G5PA-1-12V(RO）管和光电晶体管之间的耦合电容很小（通常在2pF以内），所以共模输入电压Uc通过级间耦合电容对输出电流先的影响比较小，即d/c/d Uc比较小。因而共模抑制比比较高。
    2．输出特性
    光电耦合器的输出特性是指在一定发光电流斥下，光电管所加偏压Uc与光电管输出电流七之间的关系曲线，如图13-28所示。图中的屯为集电极电流，Uc是光电三极管集．射极间电压。当/F=O时，发光二极管不发光，此时对应的光电三极管集电极输出电流称为暗电流，其数值很小，一般只有O.lIiA左右。当/F>O时，发光二极管开始发光，在一定的矗下，Uc的变化对如影响很小．即如的大小基本上与Uc的大小无关，而矗和昆之间的变化呈线性关系。在光电三极管的发射极与地之间串接一个负载电阻RL后，即可在RL上取得输出电压Uo。RL的选择应使负载在允许功耗PCM曲线之内。

          
    3．电流传输比
    光电耦合器光电管的集电极电流尼与发光二极管的输入电流，F之比称为电流传输比。输出电流尼的微小变量A/c与输入电流席的微小变量A/F之比称为微变电流传输比。如果光电耦合器的输出特性线性度较好，以上两个电流传输比则近似相等。电流传输比通常用CTR表示。CTR的大小与光电耦合器的类型有关。二极管输出光电耦合器的CTR较小，约在3%以内。三极管输出光电耦合器的CTR可达150%，而光电开关的CTR可高达500%。
    4．隔离性能
    光电耦合器的隔离性能通常用隔离电阻（绝缘电阻）和隔离电压（耐压值）来表示。一般情况下，光电耦合器发光二极管和光电三极管之间的隔离电阻约为lOlo～l01lQ，隔离电压为500～1000V，个别达林顿管输出的光电耦合器，其隔离电压可达lOkV。
    光电耦合器与晶体管一样，可以工作于线性放大状态，也可工作于开关状态。在电源的驱动电路中，光电耦合器一般用来传递脉冲信号，工作于开关状杰。因此，光电耦合器的响应时间是其重要特性之一。发光二极管和硅光电三极管组成的光电耦合器的响应时间一般为5～lOys，发光二极管和硅光电二极管组成的光电耦合器的响应时间约为2“s，高速光电耦合器的响应时间小于1.5Us。负载电阻RL的大小影响光电耦合器的响应时间，吼越小，响应时间越短。在实际应用中，应在光电耦合器允许的集电极电流范围内，尽量减小负载电阻，以提高光电耦合器的响应速度。