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欠电压锁定( UVLO)和快速启动(Quick start)

发布时间:2013/6/5 19:46:15 访问次数:2381

    MC33262内部设置了具有“看门狗”功能G5LA-14 DC12的定时器,因此在控制器单独应用时,不需外接振荡器。如果在电感电流降至零后,驱动输出信号中止时间超过620ns,该定时器将使前置变换器进入启动或重启动状态。
    欠电压锁定( UVLO)和快速启动(Quick start)
    MC33262内部的欠电压锁定比较器对偏置电压VcC进行检测,其上限阀值为13V,下限阀值为8V。在待机模式下,Vcc为7V,所需的偏置电流小于0.4mA。由于MC33262的欠电压锁定阀值范围宽,启动电流小,因此非常适用于采用宽限输入的离线式前置变换器。启动时,当Vcc上升到13V以上时,欠电压锁定(UVLO)输出高电平,允许驱动输出;当Vcc下降到8V以下时,欠电压锁定( UVLO)输出低电平,将截止驱动输出;为了对控制器和外接滤波电解电容(见图12-17中的电容C4)提供过电压保护,Vcc内接了一只36V的齐纳二极管。该特性对采用外部电路实现前置变换器的启动延迟十分必要。
    为了对前置变换器的启动过程进行优化,MC33262内部集成了快速启动电路。在启动过程中,引脚②上的外接补偿电容(见图12-17中的电容Cl)将被放电.使误差放大器的输出电压低于乘法器的阀值电压,以防止驱动输出开通,并通过引脚⑧的外接二极管(见图12-17中的二极管VD6)对电容(见图12-17中的电容C4)充电产生自举电压。如果在C4上的电压降至欠电压锁定阀值电压下限之前,引脚②上的电压尚未达到乘法器的阀值,前置变换器将进入“打嗝”工作状态(间断工作),启动进程大大延迟。快速启动电路的作用是将补偿电容Cl预充至1.7V,该电压略低于引脚②上乘法器的阀值。这样,一旦自举电容C4上的电压超过欠电压锁定上限阀值,即可实现自举,同时驱动输出亦同时开通。

          
    驱动信号输出
    MC33262内置单级图腾柱式(亦称推挽式)驱动输出电路,具有士500mA的峰值电流驱动能力,可直接驱动功率开关器件( MOSFET)。只要进入欠电压锁定状态,该驱动输出电路就会进入灌电流工作模式,因此无需增加栅极下拉电阻。驱动输出电路中集成了两只10Q的电阻,一只与拉电流晶体管串联,另一只与灌电流晶体管串联,这两只电阻对输出驱动信号的上升、下降时间进行限制,可有效减小交越导通电流并降低辐射噪声。另外,为了实现对输出高电平VOH的钳位,在驱动输出电路中还增加了一只16V齐纳二极管,以防止Vcc输出超过20V时,功率开关器件(MOSFET)栅极被击穿。

    MC33262内部设置了具有“看门狗”功能G5LA-14 DC12的定时器,因此在控制器单独应用时,不需外接振荡器。如果在电感电流降至零后,驱动输出信号中止时间超过620ns,该定时器将使前置变换器进入启动或重启动状态。
    欠电压锁定( UVLO)和快速启动(Quick start)
    MC33262内部的欠电压锁定比较器对偏置电压VcC进行检测,其上限阀值为13V,下限阀值为8V。在待机模式下,Vcc为7V,所需的偏置电流小于0.4mA。由于MC33262的欠电压锁定阀值范围宽,启动电流小,因此非常适用于采用宽限输入的离线式前置变换器。启动时,当Vcc上升到13V以上时,欠电压锁定(UVLO)输出高电平,允许驱动输出;当Vcc下降到8V以下时,欠电压锁定( UVLO)输出低电平,将截止驱动输出;为了对控制器和外接滤波电解电容(见图12-17中的电容C4)提供过电压保护,Vcc内接了一只36V的齐纳二极管。该特性对采用外部电路实现前置变换器的启动延迟十分必要。
    为了对前置变换器的启动过程进行优化,MC33262内部集成了快速启动电路。在启动过程中,引脚②上的外接补偿电容(见图12-17中的电容Cl)将被放电.使误差放大器的输出电压低于乘法器的阀值电压,以防止驱动输出开通,并通过引脚⑧的外接二极管(见图12-17中的二极管VD6)对电容(见图12-17中的电容C4)充电产生自举电压。如果在C4上的电压降至欠电压锁定阀值电压下限之前,引脚②上的电压尚未达到乘法器的阀值,前置变换器将进入“打嗝”工作状态(间断工作),启动进程大大延迟。快速启动电路的作用是将补偿电容Cl预充至1.7V,该电压略低于引脚②上乘法器的阀值。这样,一旦自举电容C4上的电压超过欠电压锁定上限阀值,即可实现自举,同时驱动输出亦同时开通。

          
    驱动信号输出
    MC33262内置单级图腾柱式(亦称推挽式)驱动输出电路,具有士500mA的峰值电流驱动能力,可直接驱动功率开关器件( MOSFET)。只要进入欠电压锁定状态,该驱动输出电路就会进入灌电流工作模式,因此无需增加栅极下拉电阻。驱动输出电路中集成了两只10Q的电阻,一只与拉电流晶体管串联,另一只与灌电流晶体管串联,这两只电阻对输出驱动信号的上升、下降时间进行限制,可有效减小交越导通电流并降低辐射噪声。另外,为了实现对输出高电平VOH的钳位,在驱动输出电路中还增加了一只16V齐纳二极管,以防止Vcc输出超过20V时,功率开关器件(MOSFET)栅极被击穿。

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