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栅极驱动电路

发布时间:2013/5/27 21:00:52 访问次数:1397

    功率MOSFET栅极驱E6C3-AG5C动电路的型式各种各样,按驱动电路与栅极的连接方式可分为三类:直接驱动、隔离驱动和集成驱动。
    1.直接驱动的基本型式
    (1) TTL驱动电路。
    图8-6 (a)所示为最简单的TTL驱动电路,它应能输出开通驱动电流/G(on)和吸取关断电流毛。图中TTL电路可以是驱动器、缓冲器或其他逻辑电路。这种开集电极的驱动器末级是单管输出,受其灌电流的限制外接电阻R都在数百欧。用这种驱动器驱动功率MOSFET开通时,因尺阻值较大,因此器件的开通时间较长。
    图8-6 (b)所示为能快速开通的改进电路,它减小了TTL上的功耗。当TTL输出管导通时,功率MOSFET的输入电容被短路至地,这时吸收电流的能力受该导通管的口和它可能得到的基极电流的限制。而TTL输出为高电平时,栅极通过附加的晶体管VT获得电压及电流,充电能力提高,因而开通速度加快。
    (a)最简单的TTL驱动电路;(b)能快速开通的改进电路

        
    (2)互补输出驱动。
    图8-7 (a)所示为由晶体管组成的互补输出电路,采用这种电路不但可提高开通时的速度,而且也可提高关斯速度。在这种电路中输出晶体管VT是作为射极跟随器工作的,不会出现饱和,因而不影响功率MOSFET的开关频率。
    图8-7 (b)所示为由MOS管组成的互补驱动电路,由于采用了- VE电源,在关断驱动时,可加速栅极输入电容的放电,缩短关断时间。

            
    (3) CMOS驱动电路。
    直接用CMOS器件也可以驱动功率MOSFET,而且它们可以共用一组电源。栅极电压在小于10V时,MOSFET将处于电阻区不需要外接电阻,电路更简单。不过开关速度低并且驱动功率要受电流源和CMOS器件吸收电容量的限制。

    功率MOSFET栅极驱E6C3-AG5C动电路的型式各种各样,按驱动电路与栅极的连接方式可分为三类:直接驱动、隔离驱动和集成驱动。
    1.直接驱动的基本型式
    (1) TTL驱动电路。
    图8-6 (a)所示为最简单的TTL驱动电路,它应能输出开通驱动电流/G(on)和吸取关断电流毛。图中TTL电路可以是驱动器、缓冲器或其他逻辑电路。这种开集电极的驱动器末级是单管输出,受其灌电流的限制外接电阻R都在数百欧。用这种驱动器驱动功率MOSFET开通时,因尺阻值较大,因此器件的开通时间较长。
    图8-6 (b)所示为能快速开通的改进电路,它减小了TTL上的功耗。当TTL输出管导通时,功率MOSFET的输入电容被短路至地,这时吸收电流的能力受该导通管的口和它可能得到的基极电流的限制。而TTL输出为高电平时,栅极通过附加的晶体管VT获得电压及电流,充电能力提高,因而开通速度加快。
    (a)最简单的TTL驱动电路;(b)能快速开通的改进电路

        
    (2)互补输出驱动。
    图8-7 (a)所示为由晶体管组成的互补输出电路,采用这种电路不但可提高开通时的速度,而且也可提高关斯速度。在这种电路中输出晶体管VT是作为射极跟随器工作的,不会出现饱和,因而不影响功率MOSFET的开关频率。
    图8-7 (b)所示为由MOS管组成的互补驱动电路,由于采用了- VE电源,在关断驱动时,可加速栅极输入电容的放电,缩短关断时间。

            
    (3) CMOS驱动电路。
    直接用CMOS器件也可以驱动功率MOSFET,而且它们可以共用一组电源。栅极电压在小于10V时,MOSFET将处于电阻区不需要外接电阻,电路更简单。不过开关速度低并且驱动功率要受电流源和CMOS器件吸收电容量的限制。

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