功率MOSFET是一个近似E6C2-CWZ5G理想的开关，具有很高的增益和极快的开关速度。这是由于它是单极型器件，依靠多数载流子导电，没有少数载流子的存储效应，与关断时间相联系的储存时间大大减小。它的开通与关断只受到极间电容影响，与极间电容的充放电情况有关。
    功率MOSFET内寄生着两种类型的电容：一种是与MOS结构有关的MOS电容，如栅源电容CGS和栅漏电容CGD；另一种是与PN结有关的电容，如漏源电容CDS。功率MOSFET极间电容的等效电路如图8-4所示。输入电容G。。、输出电容Coss和反馈电容Crs。是应用中常用的参数，它们与极间电容的关系定义为
    Ciss= CGS +CGD;Coss=CDS +CGD;Crss= CGD
    功率MOSFET的开关过程的电压波形如图8-5所示。开通时间ton分为延时时间td和上升时间tr两部分，to。与功率MOSFET的开启电压GS(UO和输入电容ci。。有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间toff可分为储存时间ts和下降时间tf两部分，toff则由功率MOSFET漏源间电客CDS和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为lO～lOOns，而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。
    图8-4功率MOSFET极间电容的等效电路    图8-5功率MOSFET开关过程的电压波形