电力晶体管( GTR，Giant Transistor)按英E6B2-CWZ6C 2000P/R文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BJT，Bipolar Junction transistor），所以英文有时候也称为Power BJT。在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称是等效的。自20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管的，主要是GTR。但是目前，其地位已大多被绝缘栅双极晶体管和功率场效应晶体管所取代。
    结构与分类
    GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN。NPN型GTR的结构剖面示意图如图7-1 (a)所示，图中掺杂浓度高的N+区称为GTR的发射区，其作用是向基区注入载流子。基区是一个厚度为几微米至几十微米之间的P型半导体薄层，它的任务是传送和控制载流子。集电区N+是收集载流子的，常在集电区中设置轻掺杂的r.r区以提高器件的耐压能力。不同类型半导体区的交界处则形成PN结，发射区与基区交界处的PN结儿称为发射结；集电区与基区交界处的PN结J2称为集电结。两个PN结Jl和J2通过很薄的基区联系起来，为了使发射区向基区注入电子，就要在发射结上加正向偏置电压UEE（简称正偏电压），要保证注入到基区的电子能够经过基区后传输到集电区，就必须在集电结上施加反向偏置电压Ucc（简称反偏电压），如图7-1 (b)所示。

              
    图7-2所示为GTR的电气图形符号和内部载流子的流动情况示意。在实际应用中，GTR -般采用共发射极接法，集电极电流L与基极电流.

                
    GTR的产品说明书中通常给出的是直流电流增益hFE，它是在直流工作的情况下，集电极电流与基极电流之比。单管GTR的∥值比处理信息用的小功率晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可以有效地增大电流增益。
    电力晶体管大多作功率开关使用，对它的要求也与小信号晶体管不同，主要是有足够的容量（高电压、大电流）、适当的增益、较高的工作速度和较低的功率损耗等。由于电力晶体管的功率损耗大、工作电流大，因此其工作状况与小信号晶体管相比出现了一些新的特点和问题，如存在基区大注入效应、基区扩展效应和发射极电流集边效应等。

http://nortion.51dzw.com/