逆导晶闸管(RCT，Reverse Conducting Thyristor)足将一个E6B2-CWZ6C晶闸管和一个二极管反并联集成在同一硅片上而构成的组合型器件。而组合的结果又使它成为颇具特色的快速型器件。可以认为它是一种在反方向也能通过和正方向一样的大电流的开关器件。它属于不对称晶闸管，目前是不对称晶闸管中的主体和核心。
    由于它的芯片可以看做简单的大功率集成电路块。因此，相对于两只分立的晶闸管和二极管的反并联连接，它具有体积小、高温特性好、有利于大电流化和高电压化、有利于高额应用等优点。主要应用于直流斩波器、倍频式中频电源及三相逆变器等。
    基本结构及伏安特性
    图6-86所示为RCT的基本结构、等效电路及伏安特性。如图6-86 (a)所示，逆导晶闸管的芯片是由晶闸管区和二极管区成的。在晶闸管区内，除采用阴极发射极短路结构外，还设置了阳极发射极短路结构。这些结构上的特点，使它的特性既不同于二极管，也不同于一般的晶闸管。图6-86 (b)所示为其结构的等效电路。如图6-86 (c)所示，其正向伏安特性曲线和普通晶管完全一样，能承受很高的耐压，而且受门极控制。在G-K间施加门极触发信号后，器件由正向阻断状态向正向导通状态转换。反向伏安特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相同，不能承受电压，能通过大电流。这样，逆导晶闸管就是在同一硅片上由两个具有完全独立功能的器件组成的复合器件。

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