三极管集电极和发射极间DS4E-ML2-24V的内阻随着基极电流的变化而变化，当其基极电流愈大，则三极管的这一内阻愈小，反之则大。利用三极管的这一特性，可以设计成各种控制电路。
    输入特性
    在介绍三极管的输入特性之前，要先介绍三极管的输入回路和输出回路，可用如图5-7所示电路来说明。三极管共有三根引脚，接成输入、输出两个回路。从图中可以看出，基极和发射极构成输入回路，输入回路中的电流回路是这样的：Ei正极--Rl--VTl基极一VT1发尉极一地端一Ei负极，成回路。这一电路的输出回路是E2正极一R2一VT1集电极一VT1发射极一地端一E2负极，成回路，这是共发射极放大器电路的输入、输出回路。
    图5-6三极管电流放大示意图    图5-7三极管输入、输出回路示意图

            
    如图5-8所示是某型号三极管共发射极电路输入特性曲线，图中，X轴为发射结的正向偏置电压大小，对于NPN型三极管而言，这一正向偏置电压用Ube表示，即基极电压高于发射极电压，对于PNP型三极管而言为Ueb，即发射极电压高于基极电压。轴为基极电流大小。从图中可以看出，输入特性曲线与集电极和发射极间的直流电压Ue。大小有关，当Ue。=OV时，曲线在最左侧，这说明有较小的发射结正向电压时，便能有基极电流。当Ue。大到一定程度后，对输入特性的影响就明显减小了。
    三极管的输入特性说明了发射结正向偏置电压与基极电流之间的关系。当Ue。大小一定时，Ube大，基极电流大。当Ub。大到一定值时，Ube只要大一点，基极电流就会增大许多。对于硅三极管而言，这- Ube值约为0.6V左右，对于锗三极管而言为0.1左右。