以金属和半导体接触形成的DK2A-48V(61102M,61228M)势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管( SBD，SchottkyBarrier Diode)，简称为肖特基二极管。它是近年来问世的低功耗、大电流、超高速的半导体器件。其反向恢复时间极短，可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而工作电流却可达到几千安。
    结构和性能特点
    肖特基二极管的内部结构如图4-54所示。它是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-处延层。阳极（阻挡层）材料选用贵金属钼。二氧化硅用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较N-层要高100倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒。当加上正偏压E时，金属A和N型基斤B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度bo变窄；当加负偏压-E时，势垒宽度就增加，如图4-55所示。可见，肖特基二极管与PN结二极管在构造原理上有很大区别。这种二极管的缺点在于：当所能承受的反向耐压提高时，其正向压降也会高图4-54  肖特基二极管的内部结构得不能满足要求，因此多用于200V以下低压、大电流场合；其反向漏电流较大且对温度比较敏感，因此其反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。肖特基二极管的典型伏安特性曲线如图4-56所示。
    肖特基二极管的封装形式有引脚式封装和贴片式封装两种，这两种封装形式又有单二极管与双二极管之分。单二极管有两个电极引脚，双二极管有三个电极引脚。双二极管封装形式中又分为共阴极、共阳极及串联式3种方式。引脚式肖特基二极的外形及内电路如图4-57所示。贴片式肖特基二极管的外形结构及内电路如图4-58所示。