根据陶瓷材料或成AFPX-E30RD分的不同，瓷介电容器可分为高频瓷介电容器（CC型）和低频瓷介电容器（CT型）两类。
    (1) CC1型圆片形高频瓷介电容器。
    CC1型圆片形瓷介电容器是最常见的一种瓷介电容器，其主要特点是：介质损耗低，温度、频率、电压变化时电容量的稳定性较高。CC1型电容器常用于高频电路、容量稳定的交直流电路和脉冲电路中。也可用于温度补偿电路中。
    (2) CT1型圆片形低频瓷介电容器。
    CT1型瓷介电容器相对于CC1型来说，其损耗要高一些，但电容量较大，主要用于对损耗和电容量的稳定性要求不高的电路，可用来作为耦合或旁路电容。
    无机介质电容器主要参数见表2-9。

       
    表2-9    无机介质电容器主要参数
    玻璃釉介质电容器
    玻璃釉介质电容是以玻璃釉粉末为主要配制成分，高温压制成薄片，两面涂覆金属薄膜板加上引线后封装而成，国内常用产品主要有CY系列。玻璃釉介质电容器结构外形如图2-14所禾，其主要性能参数见表2-9。
    图2-14玻璃釉介质电容器结构外形
    玻璃釉电容器与瓷介电容器、璃釉电容器体积要小一些。
    玻璃釉电容器的性能特点是：④体积小。云母电容器相比，玻璃釉介质的介电常数大，所以同数值的玻①抗潮湿性能好；②耐高温性能好；③具有较好的高频性能；