(1)在路不加电检测。将万PDF5618P用表置于RxlOfl或R×lfl,挡，测出晶体三极管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗管为例，若测得发射结正向电阻值在30fl左右、反向电阻值在数百欧以上，则说明该管发射结正常。再测量集电结正、反向电阻值，如果与测试发射结的结果相近，则说明该管集电结良好，并且可判定管子的性能是良好的。在测试过程中，如果测出的反向电阻值较大或较小，则可能是PN结已开路或击穿损坏。对于此类情况，应将管子从印制电路板上焊下来，按以前有关内容介绍的检测方法对其进行单独复测，以进一步核实该晶体三极管是否损坏。

            
    测试NPN型晶体三极管，其测试方法与PNP型晶体三极管的方法相似，只是应交换表笔，测得的正反向电阻值略大而已。
    (2)在路加电检测。处于线性放大状态的晶体三极管在正常工作时，发射结上应有正向偏置电压(锗管为0.2～0. 3V，硅管为0.6～0.8V)，集电结上应有反向偏置电压（一般在2V以上），可用万用表适当的直流电压挡进行测量。具体测试方法如图3-54所示，如果测得的电压不在正常范围之内，则说明晶体三极管有问题。另外，当晶体三极管发生故障时，各电极的对地直流电压也会发生变化，此时可通过测量集电极和发射极对地电压值的大小来进行判断。

             
    图3-54在路测量晶体三极管e、b极间电压
    晶体三极管在路放大能力：将万用表置于直流电压挡，红表笔接在集电极焊点上，黑表笔接在发射极焊点上，再用电线将基极与发射极（或地）瞬间短路一下，若万用表指针摆动较大，则说明被测晶体三极管有放大能力（通常指针摆幅越大，晶体三极管的放大能力就越强）。需指出的是，此方法不宜测试在高电压下工作的晶体三极管，测前需对晶体三极管周围的元器件进行了解。