测量大功率晶体三极管的饱和压降
发布时间:2013/3/31 11:45:07 访问次数:2880
①测量集电极与发射极之间MPC6041T-I/OT的饱和压降UCES。将万用表置于直流10V电压挡，然后按如图3-53所示连接好电路（图中，E为12V直流电源，Rl、R2分别为20fl/ SW、200n／0. 25W电阻）。测试条件，t．为600mA，，b为60mA。对于PNP型晶体三极管，将万用表按图3-53(a)所示连接，即可测出UCES；对于NPN型晶体三极管，将万用表按图3-53 (b)所示连接，即可测出UCES。
②测量基极与发射极之间的饱和压降UBES。测试电路如图3-53所示，对于PNP型晶体三极管，红表笔接C测试点，黑表笔接B测试点，即可测出UBES；对于NPN型晶体三极管，黑表笔接C洌试点，红表笔接B测试点，即可测出UBES。
在测量UCES和UBES时，如果被测晶体三极管的^FE小于或等于10，无法达到饱和状态，则不能用上述方法进行测试。
在路检测晶体三极管
在路不加电检测。将万用表置于RxlOfl或R×lfl,挡，测出晶体三极管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗管为例，若测得发射结正向电阻值在30fl左右、反向电阻值在数百欧以上，则说明该管发射结正常。
②测量基极与发射极之间的饱和压降UBES。测试电路如图3-53所示，对于PNP型晶体三极管，红表笔接C测试点，黑表笔接B测试点，即可测出UBES；对于NPN型晶体三极管，黑表笔接C洌试点，红表笔接B测试点，即可测出UBES。
在测量UCES和UBES时，如果被测晶体三极管的^FE小于或等于10，无法达到饱和状态，则不能用上述方法进行测试。
在路检测晶体三极管
在路不加电检测。将万用表置于RxlOfl或R×lfl,挡，测出晶体三极管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗管为例，若测得发射结正向电阻值在30fl左右、反向电阻值在数百欧以上，则说明该管发射结正常。
①测量集电极与发射极之间MPC6041T-I/OT的饱和压降UCES。将万用表置于直流10V电压挡，然后按如图3-53所示连接好电路（图中，E为12V直流电源，Rl、R2分别为20fl/ SW、200n／0. 25W电阻）。测试条件，t．为600mA，，b为60mA。对于PNP型晶体三极管，将万用表按图3-53(a)所示连接，即可测出UCES；对于NPN型晶体三极管，将万用表按图3-53 (b)所示连接，即可测出UCES。
②测量基极与发射极之间的饱和压降UBES。测试电路如图3-53所示，对于PNP型晶体三极管，红表笔接C测试点，黑表笔接B测试点，即可测出UBES；对于NPN型晶体三极管，黑表笔接C洌试点，红表笔接B测试点，即可测出UBES。
在测量UCES和UBES时，如果被测晶体三极管的^FE小于或等于10，无法达到饱和状态，则不能用上述方法进行测试。
在路检测晶体三极管
在路不加电检测。将万用表置于RxlOfl或R×lfl,挡，测出晶体三极管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗管为例，若测得发射结正向电阻值在30fl左右、反向电阻值在数百欧以上，则说明该管发射结正常。
②测量基极与发射极之间的饱和压降UBES。测试电路如图3-53所示，对于PNP型晶体三极管，红表笔接C测试点，黑表笔接B测试点，即可测出UBES；对于NPN型晶体三极管，黑表笔接C洌试点，红表笔接B测试点，即可测出UBES。
在测量UCES和UBES时，如果被测晶体三极管的^FE小于或等于10，无法达到饱和状态，则不能用上述方法进行测试。
在路检测晶体三极管
在路不加电检测。将万用表置于RxlOfl或R×lfl,挡，测出晶体三极管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗管为例，若测得发射结正向电阻值在30fl左右、反向电阻值在数百欧以上，则说明该管发射结正常。
相关技术资料- 3-31测量大功率晶体三极管的饱和压降
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