器件老化测试
发布时间:2013/3/28 18:21:47 访问次数:765
器件老化测试。输入器件型号，将器件放LD7575上锁紧插座并锁紧，按“老化”键，仪器即对被测器件进行连续测试。此时键盘退出工作，若用户想退出老化测试状态，只要松开锁紧插座即可，此时仪器将显示FAIL，同时键盘恢复工作。对多只相同型号的器件进行分时老化时，每换一只器件都要重新输入型号。
器件代换查询。输入原器件的型号后，按“代换查询”键。如果各系列内存在可代换的型号，则仪器将依次显示这些型号，以后每按一次“代换查询”键，就换一种型号显示，直至显示NODEVICE；如果不存在可代换的型号，则直接显示NODEVICE。
EPROM、EEPROM器件写入、读出。
①全片读人操作。全片读入即将被测器件中的全都数据读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并紧，再输入被测器件的型号，然后按“读人”键，使仪器进入读／存状态。读人完成后，液晶显示屏显示END。
②部分读入操作。部分读人即将被测器件中的部分数据（非全部数据）读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl/上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl/上”键，输入四位存放的起始地址。接着按“读人”键，使仪器按指定地址进行读／存，读入完成后显示END。
在部分读人操作过程中，若有地址输入错误的情况，可用“编辑／退出”键来结束。
③全片写入操作。全片写入即将被测器件全部空间写完，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“写入”键，仪器显示UPl - Ll，表示仪器默认的编程电压为1挡( 12. 5V)、编程速度为1挡（最高速）。若用户对这两个参数不做修改，再次按“写入”键，仪器即进行写入操作，显示器显示变化的地址和数据；若用户对编程电压或编程速度要做修改，可在仪器显示UPl - Ll时，依次按“Fl/上”和“F2/下”键进行修改。写入完成后，仪器自动进行校验，若完全正确，显示PASS；若不正确，显示比较出错的地址、数据，然后再显示FAIL。
④部分写入操作。部分写入即将被测器件的部分空间写入，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl／上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl／上”键，输入被测器件的四位起始地址。接着按“写入”键，显示UPl - Ll，请参阅“全片写入操作”。
⑤人工比较。将被测器件放上锁紧插座并锁紧，输入其型号，再按“比较”键，仪器自动将内部数据与被测器件中的数据进行比较，完全正确时显示PASS，不正确时先显示比较错误的地址、数据，再显示FAIL。
⑥EPROM器件查空操作。将被测器件放在锁紧插廑上并锁紧，输入其型号，按“查空”键，仪器将对其进行查空检查，若是空的(全为FF)，显示EPY，反之显示NOEPY。
对EEPROM器件进行写入操作时只须按一次“写入”键，仪器即按固定速度进行写入。
器件代换查询。输入原器件的型号后，按“代换查询”键。如果各系列内存在可代换的型号，则仪器将依次显示这些型号，以后每按一次“代换查询”键，就换一种型号显示，直至显示NODEVICE；如果不存在可代换的型号，则直接显示NODEVICE。
EPROM、EEPROM器件写入、读出。
①全片读人操作。全片读入即将被测器件中的全都数据读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并紧，再输入被测器件的型号，然后按“读人”键，使仪器进入读／存状态。读人完成后，液晶显示屏显示END。
②部分读入操作。部分读人即将被测器件中的部分数据（非全部数据）读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl/上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl/上”键，输入四位存放的起始地址。接着按“读人”键，使仪器按指定地址进行读／存，读入完成后显示END。
在部分读人操作过程中，若有地址输入错误的情况，可用“编辑／退出”键来结束。
③全片写入操作。全片写入即将被测器件全部空间写完，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“写入”键，仪器显示UPl - Ll，表示仪器默认的编程电压为1挡( 12. 5V)、编程速度为1挡（最高速）。若用户对这两个参数不做修改，再次按“写入”键，仪器即进行写入操作，显示器显示变化的地址和数据；若用户对编程电压或编程速度要做修改，可在仪器显示UPl - Ll时，依次按“Fl/上”和“F2/下”键进行修改。写入完成后，仪器自动进行校验，若完全正确，显示PASS；若不正确，显示比较出错的地址、数据，然后再显示FAIL。
④部分写入操作。部分写入即将被测器件的部分空间写入，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl／上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl／上”键，输入被测器件的四位起始地址。接着按“写入”键，显示UPl - Ll，请参阅“全片写入操作”。
⑤人工比较。将被测器件放上锁紧插座并锁紧，输入其型号，再按“比较”键，仪器自动将内部数据与被测器件中的数据进行比较，完全正确时显示PASS，不正确时先显示比较错误的地址、数据，再显示FAIL。
⑥EPROM器件查空操作。将被测器件放在锁紧插廑上并锁紧，输入其型号，按“查空”键，仪器将对其进行查空检查，若是空的(全为FF)，显示EPY，反之显示NOEPY。
对EEPROM器件进行写入操作时只须按一次“写入”键，仪器即按固定速度进行写入。
器件老化测试。输入器件型号，将器件放LD7575上锁紧插座并锁紧，按“老化”键，仪器即对被测器件进行连续测试。此时键盘退出工作，若用户想退出老化测试状态，只要松开锁紧插座即可，此时仪器将显示FAIL，同时键盘恢复工作。对多只相同型号的器件进行分时老化时，每换一只器件都要重新输入型号。
器件代换查询。输入原器件的型号后，按“代换查询”键。如果各系列内存在可代换的型号，则仪器将依次显示这些型号，以后每按一次“代换查询”键，就换一种型号显示，直至显示NODEVICE；如果不存在可代换的型号，则直接显示NODEVICE。
EPROM、EEPROM器件写入、读出。
①全片读人操作。全片读入即将被测器件中的全都数据读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并紧，再输入被测器件的型号，然后按“读人”键，使仪器进入读／存状态。读人完成后，液晶显示屏显示END。
②部分读入操作。部分读人即将被测器件中的部分数据（非全部数据）读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl/上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl/上”键，输入四位存放的起始地址。接着按“读人”键，使仪器按指定地址进行读／存，读入完成后显示END。
在部分读人操作过程中，若有地址输入错误的情况，可用“编辑／退出”键来结束。
③全片写入操作。全片写入即将被测器件全部空间写完，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“写入”键，仪器显示UPl - Ll，表示仪器默认的编程电压为1挡( 12. 5V)、编程速度为1挡（最高速）。若用户对这两个参数不做修改，再次按“写入”键，仪器即进行写入操作，显示器显示变化的地址和数据；若用户对编程电压或编程速度要做修改，可在仪器显示UPl - Ll时，依次按“Fl/上”和“F2/下”键进行修改。写入完成后，仪器自动进行校验，若完全正确，显示PASS；若不正确，显示比较出错的地址、数据，然后再显示FAIL。
④部分写入操作。部分写入即将被测器件的部分空间写入，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl／上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl／上”键，输入被测器件的四位起始地址。接着按“写入”键，显示UPl - Ll，请参阅“全片写入操作”。
⑤人工比较。将被测器件放上锁紧插座并锁紧，输入其型号，再按“比较”键，仪器自动将内部数据与被测器件中的数据进行比较，完全正确时显示PASS，不正确时先显示比较错误的地址、数据，再显示FAIL。
⑥EPROM器件查空操作。将被测器件放在锁紧插廑上并锁紧，输入其型号，按“查空”键，仪器将对其进行查空检查，若是空的(全为FF)，显示EPY，反之显示NOEPY。
对EEPROM器件进行写入操作时只须按一次“写入”键，仪器即按固定速度进行写入。
器件代换查询。输入原器件的型号后，按“代换查询”键。如果各系列内存在可代换的型号，则仪器将依次显示这些型号，以后每按一次“代换查询”键，就换一种型号显示，直至显示NODEVICE；如果不存在可代换的型号，则直接显示NODEVICE。
EPROM、EEPROM器件写入、读出。
①全片读人操作。全片读入即将被测器件中的全都数据读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并紧，再输入被测器件的型号，然后按“读人”键，使仪器进入读／存状态。读人完成后，液晶显示屏显示END。
②部分读入操作。部分读人即将被测器件中的部分数据（非全部数据）读人到仪器内部，具体做法是：首先将被测器件放上锁紧插座并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl/上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl/上”键，输入四位存放的起始地址。接着按“读人”键，使仪器按指定地址进行读／存，读入完成后显示END。
在部分读人操作过程中，若有地址输入错误的情况，可用“编辑／退出”键来结束。
③全片写入操作。全片写入即将被测器件全部空间写完，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“写入”键，仪器显示UPl - Ll，表示仪器默认的编程电压为1挡( 12. 5V)、编程速度为1挡（最高速）。若用户对这两个参数不做修改，再次按“写入”键，仪器即进行写入操作，显示器显示变化的地址和数据；若用户对编程电压或编程速度要做修改，可在仪器显示UPl - Ll时，依次按“Fl/上”和“F2/下”键进行修改。写入完成后，仪器自动进行校验，若完全正确，显示PASS；若不正确，显示比较出错的地址、数据，然后再显示FAIL。
④部分写入操作。部分写入即将被测器件的部分空间写入，具体做法是：首先将擦除完毕的被测器件放于锁紧插座上并锁紧，再输入被测器件的型号，按“Fl／上”键，输入四位起始地址，按“F2/下”键，输入四位结束地址，按“Fl／上”键，输入被测器件的四位起始地址。接着按“写入”键，显示UPl - Ll，请参阅“全片写入操作”。
⑤人工比较。将被测器件放上锁紧插座并锁紧，输入其型号，再按“比较”键，仪器自动将内部数据与被测器件中的数据进行比较，完全正确时显示PASS，不正确时先显示比较错误的地址、数据，再显示FAIL。
⑥EPROM器件查空操作。将被测器件放在锁紧插廑上并锁紧，输入其型号，按“查空”键，仪器将对其进行查空检查，若是空的(全为FF)，显示EPY，反之显示NOEPY。
对EEPROM器件进行写入操作时只须按一次“写入”键，仪器即按固定速度进行写入。
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