晶闸管有哪些参数？
    晶闸管的参数包括电压参数、电流参数、控制极参VND14NV04数及动态参数等，其参数及含义如表1-37所示。
    oG根据集成电路功能结构分类
    根据集成电路功能结构，可分为数字集成电路、模拟集成电路两大类。数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号，如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号；模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号，指幅度随时间连续变化的信号，如半导体收音机的音频信号、录放机的磁常信号等。
    数字集成电路
    数字集成电路又分为厚膜集成电路、薄膜集成电路、混合集成电路、半导体集成电路。
    厚膜集成电路是指采用丝网漏、高温烧结成膜、等离子喷涂等厚膜技术，将组成电路的电子元器件以厚膜的形式制作在绝缘基片上所构成的集成电路。由于厚膜元器件的膜厚一般为几微米至几十微米，与薄膜元器件相比，厚度较厚，因此称为厚膜集成电路。如图1- 28所示为厚膜集成电路实物图。

          
    薄膜集成电路是指用真空蒸发、溅射、光刻为基本工艺的薄膜技术，将组成电路的电子元器件以薄膜的形式制作在绝缘片上所构成的集成电路。由于薄膜元器件的膜厚通常低于1斗m，相比厚膜较薄，因此称为薄膜集成电路。其特点为电阻、电容数值控制较精确，且数值范围宽，但集成度不高，有两种材料结构形式（薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管、薄膜热电子放大器），主要用于线性电路。如图1- 29所示为薄膜集成电路实物图。
    图1-28厚膜集成电路实物图    图1-29薄膜集成电路实物图
    混合集成电路是采用混合技术制造的集成电路，是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜组件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型组件混合组装，再外加封装而成。其特点是组装密度大、可靠性高、电性能好等。混合集成电路又分为单片混合集成电路、厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路、微波混合集成电路。主要用于模拟集成电路、微波集成电路、光电集成电路，或用于电压较高、电流较大的专用电路中，在徼波领域中的应用尤为突出。
    半导体集成电路是指用外延、光刻、扩散以及离子注入等半导体工艺的技术将晶体管、二极管等有源组件和电阻器、电容器等无源组件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单芯片上，并用PN结或介质生长法进行隔离，用金属蒸发进行互连所构成的集成电路。