晶体三极管的结构是怎样的
    在一块半导体芯片上制造两个符合K4T1G164QD-ZLCC要求的PN结，就构成了一个晶体三极管。通俗地说，晶体三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。如图1-19所示为PNP型晶体三极管和NPN型晶体三极管的内部结构。
    晶体三极管的内部结构
    由图1-19可见，不论PNP型晶体三极管还是NPN型晶体三极管，它们都有三个不同导电区域，中间部分称为基区，两端部分一个称为发射区，另一个称为集电区。发射区掺杂浓度高，因而多数载流子的浓度很高。基区很薄，而且掺杂浓度很低，因而载沆子浓度很低。集电区掺杂浓度也较低，它的载流子浓度低于发射区，所以集电极和发射极不能互换。晶体三极管的这种内部结构特点是晶体三极管能够起放大作用的内部条件。每个导电区上各自引出一个电极，分别称为基极、发射极、集电极，常用字母b、e、c表示。

          
    三层结构可以形成两个PN结，在发射区与基区交界面处形成的PN结称为发射结，集电区与基区交界面处形成的PN结称为集电结。这两个结好像是两个串联的背靠背晶体二极管，因此，e、或b、c之间都好像是一个晶体二极管，和晶体二极管一样，同样具有单向导电的性质。由于晶体三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此可以作为开关组件使用，但同时晶体三极管还是一个放大组件。