MOSFET是利用栅源电压的大小，来改变CAT24WC256WI半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
    N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理，如图8-7所示。
    >当Ucs =0，在漏、源极之间加正向电压UDS时，漏源极之间的电流ID =0。
    >当Ucs>0，在绝缘层和衬底之间表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。Ucs =UT时，漏极和源极之间产生导电沟道。
在漏、源极之间加正向电压UDS时，将会产生电流ID。
    >在UDS>O时，有三种情况存在，其结果如下：
    若UGS<UT，耗尽层消失，无导电沟道，ID为O；
    若UGS>UT，出现导电沟道，D、S之间有电流ID流过；
    若UGS逐渐增大，沟道加厚，沟道电阻减少，ID也随之逐渐增大，即UGS控制ID的变化。
    开启电压UT是指增强型MOS管开始形成反型层的栅源电压。
    N沟道耗尽型MOS场效应管  N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构及符号，如图8-8所示。
    当Ucs =0时，UDS加正向电压，产生漏极电流ID，此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。
    当Ucs>O时，将使ID进一步增加。
    当Ucs <0时，随着UDS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID =0。
    夹断电压，用符号U，表示。
    为了保证场效应管工作在放大区，电压Ucs、UDS的极性和UDS的大小，如表8-1所示。