光敏晶体管的参数
发布时间:2013/3/5 20:20:34 访问次数:1274
光敏晶体管的参数较多,主要参数24LC08BT-I/SNG有最高工作电压U。、光电流。和最大允许功耗PCM等。
1.最高工作电压
最高工作电压U,eo是指在无光照、集电极漏电流不超过规定值(约0.5 U,A)时,光敏晶体管所允许加的最高工作电压,一般为10~ 50V,使用中不要超过。
2.光电流
光电流。是指在受到一定光照时光敏晶体管的集电极电流,通常可达几毫安。光电流越大,光敏晶体管的灵敏度越高。
3.最大允许功耗
最大允许功耗P。是指光敏晶体管在不损坏的前提下所能承受的最大集电极耗散功率。
达林顿型光敏晶体管
达林顿型光敏晶体管是将光敏晶体管和晶体三极管按达林顿复合管形式组合在一起,如图246所示。由于光信号转换为电信号后,得到两级晶体三极管的放大,总放大倍数等于两个晶体三极管放大倍数的乘积,所以迭林顿型光敏晶体管的灵敏度更高、光电流更大,可达十几毫安。达林顿型光敏晶体管的缺点是响应速度较慢。
光敏晶体管的参数较多,主要参数24LC08BT-I/SNG有最高工作电压U。、光电流。和最大允许功耗PCM等。
1.最高工作电压
最高工作电压U,eo是指在无光照、集电极漏电流不超过规定值(约0.5 U,A)时,光敏晶体管所允许加的最高工作电压,一般为10~ 50V,使用中不要超过。
2.光电流
光电流。是指在受到一定光照时光敏晶体管的集电极电流,通常可达几毫安。光电流越大,光敏晶体管的灵敏度越高。
3.最大允许功耗
最大允许功耗P。是指光敏晶体管在不损坏的前提下所能承受的最大集电极耗散功率。
达林顿型光敏晶体管
达林顿型光敏晶体管是将光敏晶体管和晶体三极管按达林顿复合管形式组合在一起,如图246所示。由于光信号转换为电信号后,得到两级晶体三极管的放大,总放大倍数等于两个晶体三极管放大倍数的乘积,所以迭林顿型光敏晶体管的灵敏度更高、光电流更大,可达十几毫安。达林顿型光敏晶体管的缺点是响应速度较慢。