场效应晶俸管可以用万用表24LC02B-I/P进行引脚识别和检测。
    1．引脚识别与检测
    结型场效应晶体管的引脚识别方法如图2-31所示，万用表置于“尺xlk”挡，用两表笔分别测量每两个引脚间的正、反向电阻。当某两个引脚间的正、反向电阻相等，均为数千欧时，则这两个引脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个引脚即为栅极G。

           
    2．区分N沟道与P沟道场效应晶体管
    如图2-32所示，万用表置于“Rxlk”挡，黑表笔接栅极G，红表笔分别接另外两个引脚，如果测得两个电阻值均很大，则为N沟道场效应晶体管。如果测得两个电阻值均很小，则为P沟道场效应晶体管。如果测量结果不符合以上两步，则说明该场效应晶体管已坏或性能不良。

            
    3．估测结型场效应晶体管的放大能力
    区分N沟道与P沟道场效应晶体管栅极G（注入人体感应电压），表针应向左或向右摆动，如图2-33所示。表针摆动幅度越大说明场效应晶体管的放大能力越大。如果表针不动，说明该管已坏。
    4．估测绝缘栅场效应晶体管( MOSFET)的放大能力
    测量时，由于绝缘栅场效应晶体管( MOSFET)的输入阻抗极高，为防止人体感应电压引起栅极击穿，不要用手直接接触栅极G，而应手拿螺钉旋具的绝缘柄，用螺钉旋具的金属杆去接触栅极G，如图2-34所示。判断方法与测量结型场效应晶体管相同。