绝缘栅场效应晶体管因栅极与沟道1SMB70AT3G之间有一层二氧化硅绝缘层而得名，分为耗尽型绝缘栅场效应晶体管和增强型绝缘栅场效应晶体管两类。绝缘栅场效应晶体管具有极高的输入阻抗，约为l09~ 10”Q。
    耗尽型绝缘栅场效应晶体管的性能特点是，当栅极电压U。=0时右一定的漏极电流。对于N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极加正电压，栅极电压从“0”逐渐上升时漏极电流，。逐渐增大，栅极电压从“O”逐渐下降时漏极电流，。逐渐减小直至截止。对于P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极加负电压，栅极电压从“0”逐渐下降时漏极电流
。逐渐增大，栅极电压从“0”逐渐上升时漏极电流。逐渐减小直至截止。
    图2-28所示为耗尽型绝缘栅场效应晶体管的转移特性曲线（曲线）。常用耗尽型绝缘栅场效应晶体管有3D01型、3D02型、3D04型等。

           
    图2 -28耗尽型绝缘栅场效应晶体管特性曲线
    增强型绝缘栅场效应晶体管
    增强型绝缘栅场效应晶体管正常工作时，栅极应加正偏压（即与漏极电压相同）。对于N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管，漏极和栅极均加正电压。对于P沟道增强型绝缘栅场效应晶体管，漏极和栅极均加负电压。
    增强型绝缘栅场效应晶体管的性能特点是，当栅极电压U=0时截止。栅极电压的绝对值达到开启电压U，时开始有漏极电流，栅极电压的绝对值越大漏极电流越大。
    图2-29所示为增强型绝缘栅场效应晶体管的转移特性曲线（曲线）。常用增强型绝缘栅场效应晶体管有3C01型、3C02型、3C03型、3C06型、3D03型、3D06型等。