用PN结作为栅极的晶体管
发布时间:2013/2/22 20:05:53 访问次数:1349
JFET是场效应晶体CLC006AJE管的一种。JFET的栅极电极是由半导体pn结构成的。
JFET中，根据利用电子还是空穴作为载流子，分为p沟道型和n沟道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增强型。也就是在栅极电极不加电压的状态下，源极与漏极之间也有电流流动。
是硅半导体的n沟道型JFET的结构模型，(b)是电路符号。从n型硅的两端引出源极(S)与漏极(D)，在上方和下方形成p型区域。
假如JFET源极接地，漏极加正向电压，两电极间就会有电子流动。此时，在栅极电极的p型区中加上负电压，pn结交界面附近的耗尽层扩大，阻碍电子流动从而使得电流减少。或者说是源极与漏极之间流动的电流被栅极电极上加的电压所形成的耗尽层扩展抑制，成为场效应晶体管。
JFET中的半导体材料，除了硅还有使用化合物半导体的情况。这里所介绍的是n沟道型JFET，如果半导体与栅极电极的导电型相反，就是p沟道型JFET了。
是平面型JFET的结构模型，电子流动的n型区很薄，使用一侧的栅极电压。JFET由于具有输入电阻高等特点，被应用在音频输入放大器等地方。
JFET中，根据利用电子还是空穴作为载流子，分为p沟道型和n沟道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增强型。也就是在栅极电极不加电压的状态下，源极与漏极之间也有电流流动。
是硅半导体的n沟道型JFET的结构模型，(b)是电路符号。从n型硅的两端引出源极(S)与漏极(D)，在上方和下方形成p型区域。
假如JFET源极接地，漏极加正向电压，两电极间就会有电子流动。此时，在栅极电极的p型区中加上负电压，pn结交界面附近的耗尽层扩大，阻碍电子流动从而使得电流减少。或者说是源极与漏极之间流动的电流被栅极电极上加的电压所形成的耗尽层扩展抑制，成为场效应晶体管。
JFET中的半导体材料，除了硅还有使用化合物半导体的情况。这里所介绍的是n沟道型JFET，如果半导体与栅极电极的导电型相反，就是p沟道型JFET了。
是平面型JFET的结构模型，电子流动的n型区很薄，使用一侧的栅极电压。JFET由于具有输入电阻高等特点，被应用在音频输入放大器等地方。
JFET是场效应晶体CLC006AJE管的一种。JFET的栅极电极是由半导体pn结构成的。
JFET中，根据利用电子还是空穴作为载流子，分为p沟道型和n沟道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增强型。也就是在栅极电极不加电压的状态下，源极与漏极之间也有电流流动。
是硅半导体的n沟道型JFET的结构模型，(b)是电路符号。从n型硅的两端引出源极(S)与漏极(D)，在上方和下方形成p型区域。
假如JFET源极接地，漏极加正向电压，两电极间就会有电子流动。此时，在栅极电极的p型区中加上负电压，pn结交界面附近的耗尽层扩大，阻碍电子流动从而使得电流减少。或者说是源极与漏极之间流动的电流被栅极电极上加的电压所形成的耗尽层扩展抑制，成为场效应晶体管。
JFET中的半导体材料，除了硅还有使用化合物半导体的情况。这里所介绍的是n沟道型JFET，如果半导体与栅极电极的导电型相反，就是p沟道型JFET了。
是平面型JFET的结构模型，电子流动的n型区很薄，使用一侧的栅极电压。JFET由于具有输入电阻高等特点，被应用在音频输入放大器等地方。
JFET中，根据利用电子还是空穴作为载流子，分为p沟道型和n沟道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增强型。也就是在栅极电极不加电压的状态下，源极与漏极之间也有电流流动。
是硅半导体的n沟道型JFET的结构模型，(b)是电路符号。从n型硅的两端引出源极(S)与漏极(D)，在上方和下方形成p型区域。
假如JFET源极接地，漏极加正向电压，两电极间就会有电子流动。此时，在栅极电极的p型区中加上负电压，pn结交界面附近的耗尽层扩大，阻碍电子流动从而使得电流减少。或者说是源极与漏极之间流动的电流被栅极电极上加的电压所形成的耗尽层扩展抑制，成为场效应晶体管。
JFET中的半导体材料，除了硅还有使用化合物半导体的情况。这里所介绍的是n沟道型JFET，如果半导体与栅极电极的导电型相反，就是p沟道型JFET了。
是平面型JFET的结构模型，电子流动的n型区很薄，使用一侧的栅极电压。JFET由于具有输入电阻高等特点，被应用在音频输入放大器等地方。
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