MOS晶体管
发布时间:2013/2/22 20:03:42 访问次数:1104
MOS晶体管的两个种类、n沟道型与p沟道CLC005AJE-TR13型在和中已经介绍过了，将这两种晶体管一起构成的电路称为CMOS（相辅型MOS）。相辅型是p沟道型和n沟道型的MOS晶体管相互辅助的意思。
CMOS与单独的n沟道型或者p沟道型MOS单晶体相比，制造更加复杂，制造成本更高，但是由于其耗电少的特征，使手机、手提电脑等电池备份型移动设备的出现成为可能。
是p型硅基板的CMOS结构模型。由于CMOS中n沟道型和p沟道型两种MOS晶体管必须在同一基板上使用，所以有必要在基板较
深处添加能够导电的杂质，这种杂质称为阱( well)。
中p型硅基板中形成n沟道MOS晶体管，n阱中形成p沟道MOS晶体管。像这样运用一种阱的器件称为“单阱”，两种的称为
“双阱”，三种的称为“三阱”，根据使用目的的不同而分开使用。
MOS晶体管的栅极电极所用的多晶硅(poly-Si)根据杂质导电型可以分为n型和p型，如果在n沟道侧使用n型多晶硅，在p沟道侧使用p型多晶硅，能够提高器件的性能。
表示的是根据硅基板的导电型、栅极电极的导电型与阱结构类型的不同而进行分类的CMOS例子。
CMOS与单独的n沟道型或者p沟道型MOS单晶体相比，制造更加复杂，制造成本更高，但是由于其耗电少的特征，使手机、手提电脑等电池备份型移动设备的出现成为可能。
是p型硅基板的CMOS结构模型。由于CMOS中n沟道型和p沟道型两种MOS晶体管必须在同一基板上使用，所以有必要在基板较
深处添加能够导电的杂质，这种杂质称为阱( well)。
中p型硅基板中形成n沟道MOS晶体管，n阱中形成p沟道MOS晶体管。像这样运用一种阱的器件称为“单阱”，两种的称为
“双阱”，三种的称为“三阱”，根据使用目的的不同而分开使用。
MOS晶体管的栅极电极所用的多晶硅(poly-Si)根据杂质导电型可以分为n型和p型，如果在n沟道侧使用n型多晶硅，在p沟道侧使用p型多晶硅，能够提高器件的性能。
表示的是根据硅基板的导电型、栅极电极的导电型与阱结构类型的不同而进行分类的CMOS例子。
MOS晶体管的两个种类、n沟道型与p沟道CLC005AJE-TR13型在和中已经介绍过了，将这两种晶体管一起构成的电路称为CMOS（相辅型MOS）。相辅型是p沟道型和n沟道型的MOS晶体管相互辅助的意思。
CMOS与单独的n沟道型或者p沟道型MOS单晶体相比，制造更加复杂，制造成本更高，但是由于其耗电少的特征，使手机、手提电脑等电池备份型移动设备的出现成为可能。
是p型硅基板的CMOS结构模型。由于CMOS中n沟道型和p沟道型两种MOS晶体管必须在同一基板上使用，所以有必要在基板较
深处添加能够导电的杂质，这种杂质称为阱( well)。
中p型硅基板中形成n沟道MOS晶体管，n阱中形成p沟道MOS晶体管。像这样运用一种阱的器件称为“单阱”，两种的称为
“双阱”，三种的称为“三阱”，根据使用目的的不同而分开使用。
MOS晶体管的栅极电极所用的多晶硅(poly-Si)根据杂质导电型可以分为n型和p型，如果在n沟道侧使用n型多晶硅，在p沟道侧使用p型多晶硅，能够提高器件的性能。
表示的是根据硅基板的导电型、栅极电极的导电型与阱结构类型的不同而进行分类的CMOS例子。
CMOS与单独的n沟道型或者p沟道型MOS单晶体相比，制造更加复杂，制造成本更高，但是由于其耗电少的特征，使手机、手提电脑等电池备份型移动设备的出现成为可能。
是p型硅基板的CMOS结构模型。由于CMOS中n沟道型和p沟道型两种MOS晶体管必须在同一基板上使用，所以有必要在基板较
深处添加能够导电的杂质，这种杂质称为阱( well)。
中p型硅基板中形成n沟道MOS晶体管，n阱中形成p沟道MOS晶体管。像这样运用一种阱的器件称为“单阱”，两种的称为
“双阱”，三种的称为“三阱”，根据使用目的的不同而分开使用。
MOS晶体管的栅极电极所用的多晶硅(poly-Si)根据杂质导电型可以分为n型和p型，如果在n沟道侧使用n型多晶硅，在p沟道侧使用p型多晶硅，能够提高器件的性能。
表示的是根据硅基板的导电型、栅极电极的导电型与阱结构类型的不同而进行分类的CMOS例子。
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