PN结二极管
发布时间:2013/2/22 19:53:33 访问次数:2087
半导体的p型区和n型区相CAT824STDI-GT3连接的器件称为pn结二极管。二极管(diode)这个名称是从阳极A(anode)和阴极C(cathodic)这两个电极组合而来的。显示的是pn结二极管的电路符号。
(a)表示硅pn结二极管两电极之间没有电压时硅内部的状态。在交界面附近，n型区的电子和p型区的空穴相抵消，产生几乎没有载流子的区域（耗尽层）。耗尽层内n型区产生正电荷(+)，p型区产生负电荷（一），在耗尽层内产生内部电势。
(b)是阳极加正电压，阴极加负电压时的状态。这时内部电势减少，耗尽层内n型区域进入的电子和p型区域进入的空穴再次结合，产生从阳极流向阴极的电流。由于这个电压是正向电压，所以把此时的电流称为正向电流。
(c)是。(b)加载了逆向电压时的状态。此时，n型区域的电子在阳极侧、p型区域的空穴在阴极侧被吸引，由于耗尽层的宽
度变大，两终端间没有电流流过。这个电压称为逆向电压。
从以上的叙述可以看出，在硅pn结二极管两端施加电压(V)和电流的特征如 所示。pn结二极管具有只对一个方向的电
压产生电流的整流作用，对于逆向电压不会产生电流，只会形成p型区域和n型区域电绝缘的分离作用，并且我们还可以知道肖施加逆向电压时，位于耗尽层（绝缘物）两侧的p型区域和n型区域，储存了很多电荷，起到了电容的作用。
(a)表示硅pn结二极管两电极之间没有电压时硅内部的状态。在交界面附近，n型区的电子和p型区的空穴相抵消，产生几乎没有载流子的区域（耗尽层）。耗尽层内n型区产生正电荷(+)，p型区产生负电荷（一），在耗尽层内产生内部电势。
(b)是阳极加正电压，阴极加负电压时的状态。这时内部电势减少，耗尽层内n型区域进入的电子和p型区域进入的空穴再次结合，产生从阳极流向阴极的电流。由于这个电压是正向电压，所以把此时的电流称为正向电流。
(c)是。(b)加载了逆向电压时的状态。此时，n型区域的电子在阳极侧、p型区域的空穴在阴极侧被吸引，由于耗尽层的宽
度变大，两终端间没有电流流过。这个电压称为逆向电压。
从以上的叙述可以看出，在硅pn结二极管两端施加电压(V)和电流的特征如 所示。pn结二极管具有只对一个方向的电
压产生电流的整流作用，对于逆向电压不会产生电流，只会形成p型区域和n型区域电绝缘的分离作用，并且我们还可以知道肖施加逆向电压时，位于耗尽层（绝缘物）两侧的p型区域和n型区域，储存了很多电荷，起到了电容的作用。
半导体的p型区和n型区相CAT824STDI-GT3连接的器件称为pn结二极管。二极管(diode)这个名称是从阳极A(anode)和阴极C(cathodic)这两个电极组合而来的。显示的是pn结二极管的电路符号。
(a)表示硅pn结二极管两电极之间没有电压时硅内部的状态。在交界面附近，n型区的电子和p型区的空穴相抵消，产生几乎没有载流子的区域（耗尽层）。耗尽层内n型区产生正电荷(+)，p型区产生负电荷（一），在耗尽层内产生内部电势。
(b)是阳极加正电压，阴极加负电压时的状态。这时内部电势减少，耗尽层内n型区域进入的电子和p型区域进入的空穴再次结合，产生从阳极流向阴极的电流。由于这个电压是正向电压，所以把此时的电流称为正向电流。
(c)是。(b)加载了逆向电压时的状态。此时，n型区域的电子在阳极侧、p型区域的空穴在阴极侧被吸引，由于耗尽层的宽
度变大，两终端间没有电流流过。这个电压称为逆向电压。
从以上的叙述可以看出，在硅pn结二极管两端施加电压(V)和电流的特征如 所示。pn结二极管具有只对一个方向的电
压产生电流的整流作用，对于逆向电压不会产生电流，只会形成p型区域和n型区域电绝缘的分离作用，并且我们还可以知道肖施加逆向电压时，位于耗尽层（绝缘物）两侧的p型区域和n型区域，储存了很多电荷，起到了电容的作用。
(a)表示硅pn结二极管两电极之间没有电压时硅内部的状态。在交界面附近，n型区的电子和p型区的空穴相抵消，产生几乎没有载流子的区域（耗尽层）。耗尽层内n型区产生正电荷(+)，p型区产生负电荷（一），在耗尽层内产生内部电势。
(b)是阳极加正电压，阴极加负电压时的状态。这时内部电势减少，耗尽层内n型区域进入的电子和p型区域进入的空穴再次结合，产生从阳极流向阴极的电流。由于这个电压是正向电压，所以把此时的电流称为正向电流。
(c)是。(b)加载了逆向电压时的状态。此时，n型区域的电子在阳极侧、p型区域的空穴在阴极侧被吸引，由于耗尽层的宽
度变大，两终端间没有电流流过。这个电压称为逆向电压。
从以上的叙述可以看出，在硅pn结二极管两端施加电压(V)和电流的特征如 所示。pn结二极管具有只对一个方向的电
压产生电流的整流作用，对于逆向电压不会产生电流，只会形成p型区域和n型区域电绝缘的分离作用，并且我们还可以知道肖施加逆向电压时，位于耗尽层（绝缘物）两侧的p型区域和n型区域，储存了很多电荷，起到了电容的作用。
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