测量线圈和电容器XC4VFX12-10FF668I时，可以选择表5.4中的串联等效电路或并联等效电路来进行测量。一般说来，对小容量电容器和高阻抗线圈，采用并联等效电路测量，而对电解电容器一类的大容量电容器和小阻抗线圈多采用串联等效电路进行测量。

    等效电路的换算公式如下：
    L。    1    D2
    L。= Ls (1+Dz)    Ls—    G=百’T
    1+D2i- D2
    Cp一了{夸r  Cs一Cp (1+D2，  R一吉．了车D2-
    半导体特性的测试。半导体器件测量时的注意事项。由晶体二极管、晶体三极管、FET（场效应晶体管）、晶闸管等半导体元器件的规格表中可以了解它们的特性。规格表中，一般给出半导体元器件的最大定额及其电气特性。所谓最大定额是指不至引起半导体元器件性能老化或损坏并维持正常工作的参数的最大限僮。表5.5为晶体三极管2SC2320的最大定额表。使用时，要注意其电压、电流、耗散功率和温度等参数值不应超过最大定额值。集电极最大耗散功率Pc为VCE与Ic的乘积，图5.26中的V。。一J。特性上，用虚线描出了300mW的集电极耗散功率特性。晶体三极管的使用范围必须在虚线的左侧。另外，晶体三极管是有极性的半导体元件，必须区别NPN型和PNP型的不同，正确连接B（基极）、E（发射极）和C（集电极）各端子。

    晶体三极管静特性的测试。测试晶体三极管特性时，一般采用曲线测试仪法或电压一电流表法。图5. 27示出了采用电压一电流表法，对2SC2320共发射极接法的CE -IC特性的测试电路。让参量IB保持在0.02mA不变，VCE从OV增加到5V，这时测量Ic值。然后，保持J。-0. 04mA不变，再测量Ic。这样，在不同参变量IB时测得的VCE -IC犄性曲线如图5.28所示。采用电压一电流表法测试时需要较长时间，比较麻烦。而采用曲线测试仪时，瞬时就可以描绘出晶体三极管的静特性，使用起来十分方便。用曲线测试仪测试晶体三极管时，要正确连接其发射极、集电极
和基极。用切换开关将发射极接地，确定集电极的最大电压，确定参
变量基极电流，。的取值间隔。然后给晶体三极管施加电压并使其流
过电流，则曲线测试仪即可描绘出图5. 28所示的曲线。