栅极
发布时间:2013/2/6 16:14:18 访问次数:798
可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，简称SCR，也叫做晶体闸流管）是一种4层的PNPN半导体。其内部拥有3组PN结构造。如图3. 84所示，对于PNPN结合的半导体来说，无论是将其左边设为O极还是将其右边设为0极，从任何一方看过去都有反向的PN结（截止状态）存在。例如，左端接④极，则PiNi、P2 Nz的两个结为正向，但NIP2成反向。结果，不管怎么样在此情况下电流都是不可能导通的。
接下来我们试将Pi NIP2 N2的4层半导体的Pl层接上电池的O极、N：层接上e极后，再将另外一组电池的0极接到P。层、@极接到N。层上。结果，如图3.85所示，电流导通整个元件。这是为什么呢？
首先，我们把PiNiPz N2的4层结构看作是由PINIP2层与NIP2 N2层复合而成的。即把它看作是由PNP型晶体管与NPN型晶体簪互相连接来处理。对于P2 N2来说，如图3.85所示，加载的是正向电压，发生电子、空穴的移动。此时，从N2区域穿过P2进入基极区域Ni中的电子，全部流入上层Pi NIP2晶体管的基极区域Ni。进入上层晶体管基极区域的电子促使上层发射极区域的空穴移动，进一步导致集电极区域Pl的空穴扩散。
通过上述动作的反复，则电流导通整个可控硅整流器。结果，对
于PNPN层的两端来说，原来无论加载什么方向的电压都不能导通的半导体，通过对其中间的PN层赋予正向电压，可以导通整个元件。
可控硅的Pl层的端子称为阳极(A)，Nz层的端子称为阴极(K)，P2层的端子称为栅极(G)。换言之，可控硅是通过对栅极一阴极之间加载正向电压，就可以导通阳极一阴极的具有开关作用的元件。
接下来我们试将Pi NIP2 N2的4层半导体的Pl层接上电池的O极、N：层接上e极后，再将另外一组电池的0极接到P。层、@极接到N。层上。结果，如图3.85所示，电流导通整个元件。这是为什么呢？
首先，我们把PiNiPz N2的4层结构看作是由PINIP2层与NIP2 N2层复合而成的。即把它看作是由PNP型晶体管与NPN型晶体簪互相连接来处理。对于P2 N2来说，如图3.85所示，加载的是正向电压，发生电子、空穴的移动。此时，从N2区域穿过P2进入基极区域Ni中的电子，全部流入上层Pi NIP2晶体管的基极区域Ni。进入上层晶体管基极区域的电子促使上层发射极区域的空穴移动，进一步导致集电极区域Pl的空穴扩散。
通过上述动作的反复，则电流导通整个可控硅整流器。结果，对
于PNPN层的两端来说，原来无论加载什么方向的电压都不能导通的半导体，通过对其中间的PN层赋予正向电压，可以导通整个元件。可控硅的Pl层的端子称为阳极(A)，Nz层的端子称为阴极(K)，P2层的端子称为栅极(G)。换言之，可控硅是通过对栅极一阴极之间加载正向电压，就可以导通阳极一阴极的具有开关作用的元件。
可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，简称SCR，也叫做晶体闸流管）是一种4层的PNPN半导体。其内部拥有3组PN结构造。如图3. 84所示，对于PNPN结合的半导体来说，无论是将其左边设为O极还是将其右边设为0极，从任何一方看过去都有反向的PN结（截止状态）存在。例如，左端接④极，则PiNi、P2 Nz的两个结为正向，但NIP2成反向。结果，不管怎么样在此情况下电流都是不可能导通的。
接下来我们试将Pi NIP2 N2的4层半导体的Pl层接上电池的O极、N：层接上e极后，再将另外一组电池的0极接到P。层、@极接到N。层上。结果，如图3.85所示，电流导通整个元件。这是为什么呢？
首先，我们把PiNiPz N2的4层结构看作是由PINIP2层与NIP2 N2层复合而成的。即把它看作是由PNP型晶体管与NPN型晶体簪互相连接来处理。对于P2 N2来说，如图3.85所示，加载的是正向电压，发生电子、空穴的移动。此时，从N2区域穿过P2进入基极区域Ni中的电子，全部流入上层Pi NIP2晶体管的基极区域Ni。进入上层晶体管基极区域的电子促使上层发射极区域的空穴移动，进一步导致集电极区域Pl的空穴扩散。
通过上述动作的反复，则电流导通整个可控硅整流器。结果，对于PNPN层的两端来说，原来无论加载什么方向的电压都不能导通的半导体，通过对其中间的PN层赋予正向电压，可以导通整个元件。
可控硅的Pl层的端子称为阳极(A)，Nz层的端子称为阴极(K)，P2层的端子称为栅极(G)。换言之，可控硅是通过对栅极一阴极之间加载正向电压，就可以导通阳极一阴极的具有开关作用的元件。
接下来我们试将Pi NIP2 N2的4层半导体的Pl层接上电池的O极、N：层接上e极后，再将另外一组电池的0极接到P。层、@极接到N。层上。结果，如图3.85所示，电流导通整个元件。这是为什么呢？
首先，我们把PiNiPz N2的4层结构看作是由PINIP2层与NIP2 N2层复合而成的。即把它看作是由PNP型晶体管与NPN型晶体簪互相连接来处理。对于P2 N2来说，如图3.85所示，加载的是正向电压，发生电子、空穴的移动。此时，从N2区域穿过P2进入基极区域Ni中的电子，全部流入上层Pi NIP2晶体管的基极区域Ni。进入上层晶体管基极区域的电子促使上层发射极区域的空穴移动，进一步导致集电极区域Pl的空穴扩散。
通过上述动作的反复，则电流导通整个可控硅整流器。结果，对
于PNPN层的两端来说，原来无论加载什么方向的电压都不能导通的半导体，通过对其中间的PN层赋予正向电压，可以导通整个元件。可控硅的Pl层的端子称为阳极(A)，Nz层的端子称为阴极(K)，P2层的端子称为栅极(G)。换言之，可控硅是通过对栅极一阴极之间加载正向电压，就可以导通阳极一阴极的具有开关作用的元件。
相关技术资料- 5-9什么是电气协联回路,它的基本原理是怎样的?
- 2-6栅极
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