夹断电压
发布时间:2013/2/3 22:11:50 访问次数:3184
场效应晶体管的主要参数
饱和漏电流IDSS.当栅源间ADG451BRZ-REELT电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
栅源截止电压UGS.使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。
夹断电压UP.在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中，当栅源间反向偏压足够大时，沟道两边的耗尽层充分扩展，从而夹断沟道，此时的栅源电压称为夹断电压。
开启电压U.在增强型绝缘栅场效应管中，使漏、源极间刚刚导通的最小电压
称为开启电压。
跨导g。它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。
最大耗散功率PSM.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。场效应管实际功率应小于最大耗散功率并留有一定余量。
最大漏源电流ISM.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大漏源电流。
场效应晶体管的检测.判别结型场效应晶体管的管脚
用万用表的R×lk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，则这两个管脚为漏极和源极，余下的一个管脚即为栅极。
区分N型沟道场效应晶体管和P型沟道场效应晶体管.用万用表的RXlk挡，将黑表笔接栅极，红表笔分别接另外两管脚，如果测得两个电阻值均很大，则为N型沟道场效应晶体管。如果测得两个电阻值均很小，则为P型沟道场效应晶体管。
饱和漏电流IDSS.当栅源间ADG451BRZ-REELT电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
栅源截止电压UGS.使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。
夹断电压UP.在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中，当栅源间反向偏压足够大时，沟道两边的耗尽层充分扩展，从而夹断沟道，此时的栅源电压称为夹断电压。
开启电压U.在增强型绝缘栅场效应管中，使漏、源极间刚刚导通的最小电压
称为开启电压。
跨导g。它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。
最大耗散功率PSM.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。场效应管实际功率应小于最大耗散功率并留有一定余量。
最大漏源电流ISM.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大漏源电流。
场效应晶体管的检测.判别结型场效应晶体管的管脚
用万用表的R×lk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，则这两个管脚为漏极和源极，余下的一个管脚即为栅极。
区分N型沟道场效应晶体管和P型沟道场效应晶体管.用万用表的RXlk挡，将黑表笔接栅极，红表笔分别接另外两管脚，如果测得两个电阻值均很大，则为N型沟道场效应晶体管。如果测得两个电阻值均很小，则为P型沟道场效应晶体管。
场效应晶体管的主要参数
饱和漏电流IDSS.当栅源间ADG451BRZ-REELT电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
栅源截止电压UGS.使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。
夹断电压UP.在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中，当栅源间反向偏压足够大时，沟道两边的耗尽层充分扩展，从而夹断沟道，此时的栅源电压称为夹断电压。
开启电压U.在增强型绝缘栅场效应管中，使漏、源极间刚刚导通的最小电压
称为开启电压。
跨导g。它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。
最大耗散功率PSM.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。场效应管实际功率应小于最大耗散功率并留有一定余量。
最大漏源电流ISM.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大漏源电流。
场效应晶体管的检测.判别结型场效应晶体管的管脚
用万用表的R×lk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，则这两个管脚为漏极和源极，余下的一个管脚即为栅极。
区分N型沟道场效应晶体管和P型沟道场效应晶体管.用万用表的RXlk挡，将黑表笔接栅极，红表笔分别接另外两管脚，如果测得两个电阻值均很大，则为N型沟道场效应晶体管。如果测得两个电阻值均很小，则为P型沟道场效应晶体管。
饱和漏电流IDSS.当栅源间ADG451BRZ-REELT电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。
栅源截止电压UGS.使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。
夹断电压UP.在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中，当栅源间反向偏压足够大时，沟道两边的耗尽层充分扩展，从而夹断沟道，此时的栅源电压称为夹断电压。
开启电压U.在增强型绝缘栅场效应管中，使漏、源极间刚刚导通的最小电压
称为开启电压。
跨导g。它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。
最大耗散功率PSM.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。场效应管实际功率应小于最大耗散功率并留有一定余量。
最大漏源电流ISM.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大漏源电流。
场效应晶体管的检测.判别结型场效应晶体管的管脚
用万用表的R×lk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，则这两个管脚为漏极和源极，余下的一个管脚即为栅极。
区分N型沟道场效应晶体管和P型沟道场效应晶体管.用万用表的RXlk挡，将黑表笔接栅极，红表笔分别接另外两管脚，如果测得两个电阻值均很大，则为N型沟道场效应晶体管。如果测得两个电阻值均很小，则为P型沟道场效应晶体管。
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