晶体的主要参数有NTGS3442T1G标称频率fo、负载电容C1，和激励电平等。
    1．标称频率
    标称频率fo是指晶体的振荡频率，通常直接标注在晶体的外壳上，一般用带有小数点的几位数字来表示，单位为MHz或kHz，如图8-72所示。标注有效数字位数较多的晶体，其标称频率的精度较高。

           
    2．负载电容
    负载电容CL是指晶体组成振荡电路时所需配接的外部电容。负载电容CL是参与决定振荡频率的因数之一，在规定的CL下晶体的振荡频率即标称频率fo。使用晶体时必须按要求接入规定的CL，才能保证振荡频率符合该晶体的标称频率。
    3．激励电平
    激励电平是指晶体正常工作时所消耗的有效功率，常用的标称值有O.lmW、0.5mW、ImW、2mW等。激励电平的大小关系到电路工作的稳定和可靠。激励电平过大会使频率稳定度下降，甚至造成晶体损坏；激励电平过小会使振荡幅度变小和不稳定，甚至不能起振。一般应将激励电平控制在其标称值的50%～100%。