绝缘栅型场效应管则因栅极与其他ATMEGA48-20MU电极完全绝缘而得名、绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外，还有增强型与耗尽型之分。由于绝缘栅场效应管是由金属( Metal)、氧化物(Oxide)和半导体f Semicontuctor)三种材料构成的，所以绝缘栅场效应管又称为MOS管。常见绝缘栅型场效应管的外形、符号及分类如图6.2所示。

           
    场效应管的S、G、D极对应晶体三极管的E、B、C极。图6.2(b)所示的电路图形符号中，若D极与S极之间是三段断续线，表示该场效应管为增强型；若是连续线，表示该场效应管为耗尽型。
    N沟道增强型MOS管结构如图6.3所示。它是在一块P型硅片上扩散两个N型区（用N+表示），并分别从两个N型区引出两个电极：源极与漏极，在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层，再在绝缘层上覆盖一层金属层，形成栅极，因此栅极与其他电极之间是绝缘的，故输入电阻很高。另外，从衬底基片上引出一个电极，称为衬底电极(B)。由图6.3可知，源区和漏区之间被P型衬底隔开，形成两个“背对背”连接的二极管。