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日本半导体器件型号命名法

发布时间:2013/1/18 19:58:53 访问次数:1886

     国外三极管的命名方法可参考第4章的ATMEGA32A-AU有关内容。日本半导体器件型号命名法有如下特点。
    (1)型号中的第一部分是数字,表示器件的类型和右效电极数。例如,用“1”表示二极管,用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
    (2)第二部分均为字母S,表示日本电子工业协会注册产品,而不表示材料和极性。
    (3)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管,用J表示P沟道场效应三极管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
    (4)第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号,并不反映器件的性能,顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如,2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW,而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是,登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大,越是近期产品。
    (5)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
    (6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号,常采用简化标记的方法,即把2S省略。例如,2SD764,简化为D764,2SC502A简化为C502A。
    (7)在低频管(2SB和2SD型)中,也有工作频率很高的管子。例如,2SD355的特征频率fT为100MHz,所以,它们也可当高频管用。
    (8)日本通常把PCM≥1W的管子,称做大功率管。

                           

     国外三极管的命名方法可参考第4章的ATMEGA32A-AU有关内容。日本半导体器件型号命名法有如下特点。
    (1)型号中的第一部分是数字,表示器件的类型和右效电极数。例如,用“1”表示二极管,用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
    (2)第二部分均为字母S,表示日本电子工业协会注册产品,而不表示材料和极性。
    (3)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管,用J表示P沟道场效应三极管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
    (4)第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号,并不反映器件的性能,顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如,2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW,而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是,登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大,越是近期产品。
    (5)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
    (6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号,常采用简化标记的方法,即把2S省略。例如,2SD764,简化为D764,2SC502A简化为C502A。
    (7)在低频管(2SB和2SD型)中,也有工作频率很高的管子。例如,2SD355的特征频率fT为100MHz,所以,它们也可当高频管用。
    (8)日本通常把PCM≥1W的管子,称做大功率管。

                           

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