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二极管伏安辅牲

发布时间:2013/1/16 20:20:46 访问次数:556

    一个二极管是由一个PN结构成的,因此,二极管同样MXL1013DS8具有单向导电性。为了更准确、更全面地了解二极管的单向导电性,我们引入伏安特性曲线。二极管的伏安特性曲线就是加在二极管两端的电压VD与通过二极管的电流,。的关系曲线。利用晶体管图示仪或用实验的方法能方便地测出二极管的伏安特性曲线,如图4.9所示。

                   
    正向特性
    正向伏安特性曲线指纵轴右侧部分,它有两个主要特点。
    ①外加电压较小,外加电场还不足以克服内电场对多数载流子造成的阻力,此时正向电流几乎为零,这个范围称为“死区”、“截止区”或门限电压UON(开启电压),锗管死区电压为0.1V,硅管约为0.SV。
    ②正向电压超过死区电压时,二极簪呈现的电阻很小,曲线近似于线性,称为导通区。导通后,二极管两端的正向电压称为正向压降(管压降)UVD。一般硅管正向压降为0.6~o8V,锗管正向压降为0.1~0.3V。

    一个二极管是由一个PN结构成的,因此,二极管同样MXL1013DS8具有单向导电性。为了更准确、更全面地了解二极管的单向导电性,我们引入伏安特性曲线。二极管的伏安特性曲线就是加在二极管两端的电压VD与通过二极管的电流,。的关系曲线。利用晶体管图示仪或用实验的方法能方便地测出二极管的伏安特性曲线,如图4.9所示。

                   
    正向特性
    正向伏安特性曲线指纵轴右侧部分,它有两个主要特点。
    ①外加电压较小,外加电场还不足以克服内电场对多数载流子造成的阻力,此时正向电流几乎为零,这个范围称为“死区”、“截止区”或门限电压UON(开启电压),锗管死区电压为0.1V,硅管约为0.SV。
    ②正向电压超过死区电压时,二极簪呈现的电阻很小,曲线近似于线性,称为导通区。导通后,二极管两端的正向电压称为正向压降(管压降)UVD。一般硅管正向压降为0.6~o8V,锗管正向压降为0.1~0.3V。

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