纯净的半导体导电能力较差，但如果DAC0800LCM在纯净的半导体（锗和硅）中掺人5价杂质元素，如磷，锑，砷等，就会使半导体的导电性能显著增加。磷原子的最外层有5个电子，如果被掺人到“纯硅”中后，当一个磷原子取代一个硅原子时，其外层的4个价电子与4个相邻磷原子形成共价键，第5个价电子不在共价键中，成了自由电子，如图4.3(a)所示。通过掺杂可使自由电子的数量猛增，远比因为温度升高所产生的自由电子（称热激发）多。这样电子与空穴的复合率势必提高，也就是说空穴的数量要大为减少。在掺杂5价杂质元素的情况下，导电主要靠自由电子，所以称这种半导体为电子半导体，简称“N型”半导体。5价元素原子由于处于晶格的位置上，且释放了1个电子而成为不能移动的正离子，其等效结构图如图4.3(b)所示。

            
    按以上方法，在纯净硅中掺杂3价杂质元素，如硼、锡、铟等，可以得到空穴半导体。因为硼原子的最外层有3个电子，当1个硼原子取代1个硅原子时，只形成了3个共价键，第4个由于缺少1个电子而形成1个空穴，如图4.4(a)所示。
    像这样，每掺人1个硼原子就能提供1个空穴，从而可使空穴的数量远远超过白由电子。因此，这种半导体的导电主要靠空穴，称为空穴半导体，简称“P型”半导体。3价元素原子由于处于晶格的位置上，且吸收了1个电子而成为不能移动的负离子，其等效结构图如图4.4(b)所示。