场效应管改进型混合偏置电路
发布时间:2013/1/6 19:29:07 访问次数:717
场效应管改进型混合偏置电路
图11-12所示是N沟道结型场效应12-22/G6R8C-A30/2C管改进型混合偏压电路。电路中，通过Rl和R2分压后经R3加到VT1栅极，虽然VT1栅极的直流电压为正，但是R5上的电压降使VT1源极直流电压更高，所以VT1栅极仍然是负电压。
图11-12 N沟道结型场效应管改进型混合偏压电路
图11-13所示是这一偏置电路的等效电路，可以说明加入电阻R3提高这一放大器输入电阻的原理。
场效应管改进型混合偏置电路
图11-12所示是N沟道结型场效应12-22/G6R8C-A30/2C管改进型混合偏压电路。电路中，通过Rl和R2分压后经R3加到VT1栅极，虽然VT1栅极的直流电压为正，但是R5上的电压降使VT1源极直流电压更高，所以VT1栅极仍然是负电压。
图11-12 N沟道结型场效应管改进型混合偏压电路
图11-13所示是这一偏置电路的等效电路，可以说明加入电阻R3提高这一放大器输入电阻的原理。
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