1．变容二极管工作原理
    变容二极管也是一个PN结的结构，为了获PLR253得较大的结电容，变容二极管做成面接触型或阶梯接触型，以扩大接触面，增大结电容。
    变容二极管工作时处于反向侗置状态，即负极上的电压大于正极上的电压。当反向偏置电压增大时，PN结的阻挡层变厚，相当于电容器两极板之间的距离增大，这样结电容下降，反向偏置电压愈大，结电容愈小。    ‘
    图9-14所示是变容二极管等效电路，它等效成一只可变—毒p—CRs一电容C。和电阻R、的串联电路，其中电容Cd就是结电容。变容二极管等效电路般电路分析中，可以不计等效电路中的电阻R。。
    2．变容二极管主要参数
    (1)品质因数Q。品质因数Q=l/2兀，要求Q值必须足够的大，以保证调谐电路的Q值。串联电阻足会使变容=极管产生损耗，这种损耗愈大，品质因数a愈小，变容二极管的质量愈差。
    (2)截止频率矗。当频率增高时，Q值要下降，当Q值下降到l时的频率为截止频率，如图9-15所示是变容二极管频率与Q值之间的关系特性曲线。
    (3)电容变化比。变容二极管在零偏压时的结电容与在击穿电压时的结电容之比称为电容变化比。电容变化比大，调谐频率范围大。

             
    变容二极管的容量变化范围一般为5～300pF。
    (4)击穿电压。变容二极管击穿电压较高，一般15～90V。
    3．变容二极管反向电压一容量特性曲线
    图9-16所示是变容二极管反向电压一容量特性曲线，从曲线中可以看出，反向偏置电压愈大，其容量愈小。