图8-14(a)和图8-14(b)都是耗尽型MOS管，它们的导通和2SC4901YK-TR-E-Q截止判断方法同三极管一样。如图8-14(a)所示，MOS管箭头向里、栅极为低电平(G=0)时，管子导通，可理解成栅极低电平、箭头向里有利于电流流动，所以管子导通；当G=1时，由于栅极为高电平，不利于电流流动，所以此时管子截止。如图8-14(b)所示，管子箭头向外，当G=O时不利于电流的流动，所以管子截止：当G=1时，有利于电流流动，此时管子导通。

          
    如图8--14(c)和图8-14(d)所示，它们都是增强型MOS管，对它们的导通、截止判断方法与前面正好相反。如图8-14(c)所示，当G=O时，以箭头上判断是有利于电流流动的，管子应该导通，但判断方法同上恰好相反，此时管子应截止；同样的道理，当G=1时，管子导通。如图8-14(d)所示，当G=O时，管子导通；当G=l时，管子截止。
     MOS非门电路的优点是输入端是绝缘的，即直流电阻很大，这样对直流电源的消耗很小，功耗很小。此外，直流工作电压范围较宽，可达3～12V。
     MOS非门电路都已集成电路化，在使用MOS集成电路时要注意几点：输入端不能悬空，因为悬空后输入端会感应静电，击穿栅极而损坏集成电路，同时也会受到干扰而造成逻辑混乱，对于不使用的引脚根据逻辑功能接高电平（如与非门电路），或是接低电平（如或门电路、或非门电路）。另外，在使用中集成电路的电源切不可接反。