·电容A3210量：0.5～47pF;
·电容墨允许偏差：±O.lpF，±0.25pF，±2%，±5%;
．串联等效电阻：0.2～0.7Q;
●温度特性(10-6/℃)：CG(O±30); HG（-30±30）；PH（-220±60）；LG(-80±30);PG (-150±30);SH (-330±60);TH (-470±60);UI (一750±120).
2．高精度多层瓷介电容器
(1)电容量
·温度补偿类：10～22000pF;
●高介电常数类：lOOOpF～0.4711F。
(2)电容量允许偏差
．温度补偿类：±1%，±2%;
●高介电常数类：±5%。
(3)温度特性(10-6/℃)
．温度补偿类：CG(O±30); PH(-150±30); CH(0±60); RH(-220±60);
．高介电常数类：-25℃～+85℃。
3．高耐压瓷介电容器
(1)额定电压(V)
．额定电压为200，300，500。
(2)电容量
·温度补偿类：lO～lOOOpF;
·高介电常数类：200pF～0.22UF。
(3)温度特性(10-6/℃)
．温度补偿类：CH(0±60)，SL (350～1000)。

．高介电常数类：WsR (X7R)（-55℃～+125℃）±15%。
    4．大容量片状瓷介电容器
    目前大量生产和常用的容量范围为0.5pF～1.5ptF，而现在已研制成功和正在命名的大容量片状瓷介电容器的容量远远大于上述范围。
    日本NEC公司用新的瓷介材料制成O.l～lOOUF的片状MLC，其特性如表2.20所示。

             
    7．射频微波用多层瓷介电容器
    射频微波将MLC主要在微波电路中用做谐振、耦合、滤波元器件，能提高放大器的增益、信噪比，也可在小型大功率射频电路中用做谐振、耦合或旁路电容。宅的特点是：介质损耗小、Q值大、绝缘电阻高、高频特性好、等效串联电阻低、谐振频率高，而且它的容量范围宽、电压高，具有多种引出形式和封装形式。图2.23和图2.24是它的特性曲线。