图10.16是采用P沟MOSFET和N沟MOSFET的源极ADC0844CN接地开关电路构成的H电桥。如果Tri和Tr3采用P沟MOSFET，驱动电压没右必要像图10.7那样高于电源电压，电路就变得非常简单。但是N沟FET与P沟FET为器件导通所要求的驱动电压的极性是相反的(N沟器件栅极电位为H时导通，P沟器件为L时导通)，所以图10. 16的电路与图10.7的电路中驱动电路的构成不同。
    表10.3示出图10.16电路在各模式中MOSFET的栅极电位。为了确定Tri和Tr3的栅极驱动电压，必须进行NAND运算（图10.7的电路中是进行NOR运算）。
    图10.16的电路中，是将2个内藏电阻晶体管纵向排列连接起来（一方的发射极与另一方的集电极连接）进行NAND运算的。这样的话，只有两个晶体管都导通（两个的输入都是H电平）时输出才为I。电平，所以就是NAND运算。
    P沟MOSFET的选择方法与图10.7电路N沟MOSFET的情况完全相同。图10.16的电路中选用VDSS=-100V，ID的绝对最大额定值为2A的2SJ128(NEC)。