构成图10.3那样的电路AT24C01B-10PU-2.7形式时，存在的问题是源极跟随器型开关电路部分(S1，S3)的MOSFET的栅极如何驱动。图10.3的电路中S：和S。是源极接地型开关电路，源极直接接地。因此MOSFET的栅极电位为OV时截止，达到正几伏时导通（参看第9章）。但是S，和S。是源极跟随器型开关电路，如图10.4所示如果栅极电位没有比H电桥的电源Vcc高出几伏，就不能够使器件完全导通。所以对于图10.3那样的电路结构，必须设法使MOSFET的驱动电路使用的电源要比H电桥的电源电压更高。

              
    如果为了驱动MOSFET而再从外部提供电源就比较麻烦，所以这里还是应该从电路内部想办法如何制作电源。我们知道MOSFET的栅极上没有电流流动，所以即使采用容量比较小的电源也无所谓。图10.3的电路没有使用晶体管作开关器件，可以说是“MOSFET构成的电路”。关于这种电源电路的结构将在10.2节中说明。