如前面图6.8中简单介绍过TLC7528CN的那样，栅一阴放大连接是源极接地放大电路与栅极接地放大电路纵向配置形式的电路。
    源极接地放大电路能够提高输入阻抗，但是频率特性较差（由于密勒效应降低了高频范围的响应）。另一方面，栅极接地放大电路的频率特性好，不过由于它的输入阻抗低而在应用上有困难。
    栅一阴放大连接是将栅极接地与源极接地两种电路的优点集中起来的电路。就是说，输入部分是源极接地，因而能够提高输入阻抗；输出部分是栅极接地，因此改善了频率特性（源极接地的负载是输入阻抗为零的栅极接地，所以源极接地部分的增益为零，只有栅极接地部分获得增益）。

                 
    图6.14是使用N沟JFET栅一阴放大连接的放大电路。这个电路中Tri是源极接地，Tr2是栅极接地。
    电路的总增益与源极接地和橱极接地相同，可以由Tri的源极电阻Rs与Trz的漏极负载电阻RD之比求得。所以图6.14电路的电压增益为3倍(约6.2kfl,/ 2k,Q)。关于栅一阴放大连接电路的设计方法，在Tri的周围与源极接地放大电路完全相同，在Trz的周围与栅极接地放大电路完全相同。就是说Tri与Tr2的源极电流（一漏极电流）由Tri的栅偏压与源极电阻Rs决定（源极接地放大电路的设计），Trz的源极电位由Trz的栅偏压决定（栅极接地放大电路的设计）。
    确定栅一阴放大连接的工作点时需要注意的是加在Tri的漏极一源极间的电压有多大。
    图6. 15是2SK184的输入电容Ci。。与漏极一源极间电压VDS的关系曲线。当VDS小时，CiSS变大，这成为电路频率特性恶化的原因（CiSS是形成低通滤波器的重要因素）。因此，对于一般的JFET应设定VDS在1V以上。图6.14的电路中设定VDS一3.25V。

                
    不过一般的栅极接地放大电路中栅极是用电容器接地的（图6.1的C5），而图6.14的Tr2的栅极却不是用电容器接地。这是因为连接到Trz的信号源，也就是Tri的阻抗比Tr2的栅偏置电路的阻抗大得多（源极接地的漏极阻抗被认为是无穷大），所以栅极接地的电容器可以略去。