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低频放大器的性能——频率特性和噪声特性

发布时间:2012/8/18 13:51:58 访问次数:1438

    图5.14是低频范围电压TPIC6B273N增益的频率特性(8Q负载)。电压增益如计算的那样约为20dB。低频截止频率fc。约1.4Hz,与由C1和R2构成的高通滤波器的截止频率(1.6Hz)基本相等。(电路的电压增益约为20dB,低频截止频率fCL约1.4Hz。这个高通特性是由Cl和R2构成的滤波器的特性)
    图5.15是高频范围电压增益的频率特性(8Q负载)。高频截止频率fCH约为186kHz,与由C2、R4构成的低通滤波器的截止频率(180kHz)基本相等。

                               

   (高频截止频率fCH约为186kHz,是由C2、R4形成的低通滤波器的特性)
    图5.16是输入端短路时测得的输出端噪声频谱图(8Q负载)。由于MOS-FET怍为电压增益为OdB的源极跟随器使用,可以认为MOSFET几乎不输出噪声。这就是说这个噪声特性就是电压放大级使用的OP放大器的特性。总之,作为功率放大器噪声电平有些高。

                

    图5.14是低频范围电压TPIC6B273N增益的频率特性(8Q负载)。电压增益如计算的那样约为20dB。低频截止频率fc。约1.4Hz,与由C1和R2构成的高通滤波器的截止频率(1.6Hz)基本相等。(电路的电压增益约为20dB,低频截止频率fCL约1.4Hz。这个高通特性是由Cl和R2构成的滤波器的特性)
    图5.15是高频范围电压增益的频率特性(8Q负载)。高频截止频率fCH约为186kHz,与由C2、R4构成的低通滤波器的截止频率(180kHz)基本相等。

                               

   (高频截止频率fCH约为186kHz,是由C2、R4形成的低通滤波器的特性)
    图5.16是输入端短路时测得的输出端噪声频谱图(8Q负载)。由于MOS-FET怍为电压增益为OdB的源极跟随器使用,可以认为MOSFET几乎不输出噪声。这就是说这个噪声特性就是电压放大级使用的OP放大器的特性。总之,作为功率放大器噪声电平有些高。

                

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