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晶体管电路中必须有防热击穿电路

发布时间:2012/8/18 12:48:48 访问次数:1400

    功率放大电路中,工作时会SN75452N产生许多热损耗。因此,当热损耗引起放大器件温度上升时,如何使电路稳定地工作是一个重要的设计课题。
     对于低频功率放大器,由于热损耗会使输出级器件的温度发生变化,为了减小失真,即使不向负载输出电流,也必须经常有一定的电流流过输出器件。
    为了实现这种工作,在输出级使用双极晶体管的电路中经常采用图5.4所示的具有温度补偿作用的偏置电路。Tri,Tr2,Tr3热耦合
   (由于Tri、Trz、Tr3处于热耦合状态,所以当温度变化时,即使ylIE2、y BE3变动,VB同样地也变动,仍然保持VB—yBE2+VBE3的关系)

             
    这种电路中,偏置电路的晶体管Tr,与输出级的晶体管Tr2、Tr3热耦合——处于相同的温度,由于发热而发生变化的Tr2、Tr3的基极一发射极间电压与Tri的基极一发射极间电压VBE.同样地变化。这样,就能够使空载电流经常保持一定值。

    功率放大电路中,工作时会SN75452N产生许多热损耗。因此,当热损耗引起放大器件温度上升时,如何使电路稳定地工作是一个重要的设计课题。
     对于低频功率放大器,由于热损耗会使输出级器件的温度发生变化,为了减小失真,即使不向负载输出电流,也必须经常有一定的电流流过输出器件。
    为了实现这种工作,在输出级使用双极晶体管的电路中经常采用图5.4所示的具有温度补偿作用的偏置电路。Tri,Tr2,Tr3热耦合
   (由于Tri、Trz、Tr3处于热耦合状态,所以当温度变化时,即使ylIE2、y BE3变动,VB同样地也变动,仍然保持VB—yBE2+VBE3的关系)

             
    这种电路中,偏置电路的晶体管Tr,与输出级的晶体管Tr2、Tr3热耦合——处于相同的温度,由于发热而发生变化的Tr2、Tr3的基极一发射极间电压与Tri的基极一发射极间电压VBE.同样地变化。这样,就能够使空载电流经常保持一定值。

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