150MHz调谐放大电路
发布时间:2012/8/16 20:31:54 访问次数:2343
这个电路是将源极接地放大电路的栅极偏置电路和漏极电阻置换为LC并联共振电路（调谐电路）。
并联共振电路是一种在振荡频率fo点从外部看到的阻抗是无限大，在其他频率处阻抗变小的电路。因此，如图3. 35所示，电路的增益与并联共振电路的阻抗曲线形状完全相同，仅仅对振荡频率fo附近的信号进行选择性放大。
图3.34的电J路中，L1=L2一70nH，所以当C1-C2≈16pF时在150MHz谐振。实际的电路中，由于栅极的输入电容以及布线电容等，所以用15pF的微调电容器就能够在150MHz谐振。
在线圈上设置抽头是为了设定输入输出阻抗为50Q，进行阻抗匹配。
这个电路是将高频放大用N沟MOSFET 2SK241的源极直接接地。而且从直流角度看栅极是用L，接地的，所以工作在VGS=OV状态。就是说与图3.33的电路相同，都是在零偏置状态下工作的。
但是2SK241是耗尽型MOSFET，所以对输入信号的振幅没有限制。
由于是在VGS—O状态下，所以这时的漏极电流就是IDSS.2SK241的I档IDSs=3.0～7．OmA，所以漏极电流分散在3.0～7．OmA的范围之内。
由于是源极直接接地，所以电路的增益为gM×RD。这个电路中．RD是谐振电路的阻抗。
并联共振电路的阻抗在共振频率处为无穷大，所以理论上增益也是无穷大，不过实际电路的增益约为20dB。其原因是FET的源极内部等效电阻不等于零，而且谐振电路的阻抗也并不是无穷大。但是，电路的增益与所使用FET的g。（也有作为正向传输导纳数据提供）成比例。
制作这个电路时，为了从谐振电路获得足够的增益，器件的选择是十分重要的。谐振电路中使用的线圈应该在谐振频率下具有足够高的Q值(Q值是表征线圈质量优劣的参数，如果串联电阻为R,图3.34的电路中，使用的是用声一0.8的粗镀锡线绕成的线圈。
为了使频率特性向高频方向延伸，电路的布线方法是非常重要的。如照片3.8所示，各部分的布线都应该粗而短（特别应该注意电源的连接线），尽量降低GND的阻抗。
这个电路是将源极接地放大电路的栅极偏置电路和漏极电阻置换为LC并联共振电路（调谐电路）。
并联共振电路是一种在振荡频率fo点从外部看到的阻抗是无限大，在其他频率处阻抗变小的电路。因此，如图3. 35所示，电路的增益与并联共振电路的阻抗曲线形状完全相同，仅仅对振荡频率fo附近的信号进行选择性放大。
图3.34的电J路中，L1=L2一70nH，所以当C1-C2≈16pF时在150MHz谐振。实际的电路中，由于栅极的输入电容以及布线电容等，所以用15pF的微调电容器就能够在150MHz谐振。
在线圈上设置抽头是为了设定输入输出阻抗为50Q，进行阻抗匹配。
这个电路是将高频放大用N沟MOSFET 2SK241的源极直接接地。而且从直流角度看栅极是用L，接地的，所以工作在VGS=OV状态。就是说与图3.33的电路相同，都是在零偏置状态下工作的。
但是2SK241是耗尽型MOSFET，所以对输入信号的振幅没有限制。
由于是在VGS—O状态下，所以这时的漏极电流就是IDSS.2SK241的I档IDSs=3.0～7．OmA，所以漏极电流分散在3.0～7．OmA的范围之内。
由于是源极直接接地，所以电路的增益为gM×RD。这个电路中．RD是谐振电路的阻抗。
并联共振电路的阻抗在共振频率处为无穷大，所以理论上增益也是无穷大，不过实际电路的增益约为20dB。其原因是FET的源极内部等效电阻不等于零，而且谐振电路的阻抗也并不是无穷大。但是，电路的增益与所使用FET的g。（也有作为正向传输导纳数据提供）成比例。
制作这个电路时，为了从谐振电路获得足够的增益，器件的选择是十分重要的。谐振电路中使用的线圈应该在谐振频率下具有足够高的Q值(Q值是表征线圈质量优劣的参数，如果串联电阻为R,图3.34的电路中，使用的是用声一0.8的粗镀锡线绕成的线圈。
为了使频率特性向高频方向延伸，电路的布线方法是非常重要的。如照片3.8所示，各部分的布线都应该粗而短（特别应该注意电源的连接线），尽量降低GND的阻抗。
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