如图2.6所示，FET有许LM2576T-12多种类。实际的器件有2SJ、2SK（也有3SK）等系列，加起来也有数千种。
    但是，这里设计的实验性电路是一种简单的电路，除放大倍数和最大输出电压外再没有别的指标要求，所以只要木超过FET的最大额定值——只要器件不损坏，采用哪个品种的器件基本上都能够工作。
    图3.1的电路中可以使用各种FET器件使它工作，不过不论使用哪种FET都应该使放大器能够正常工作。
    FET中，与NPN型晶体管相当的有N沟器件，与PNP型晶体管相当的有P沟器件。图3.1的电路中，根据电流的方向、输出的取出方法等，只能够采用N沟FET器件。图3.4是将图3.1的电路改变为使用P沟FET的电路。

                
    使用P沟FET的电路与使用N沟FET的电路电流的方向相反，所以为了改变偏置电压的极性，需要将电源与GND调换。
    这就是说，图3.1的电路中只要是使用N沟FET-2SK×××型号的FET，那么，不论是JFET还是MOSFET，耗尽型或者增强型，哪种器件都可以。
    但是还需要注意，如果在图3.1这样的小信号放大电路中使用功率放大用或者开关电路用的FET器件，就会出现失配。