由于源极接地放大电路LM324N的电压放大倍数A，与VGS、g。没有关系，所以不论使用哪种FET器件其结果都应该是相同的。
    那么，我们试更换图3.1电路中FET的品种，比较它们的放大倍数。
    照片3.1是原来图3.1的电路，即就是使用2SK184 FET的情况。所看到的是当输入电压VI=0.5VP-P(lkHz)时源极电位可。与漏极电位Vd的波形。由于Vd的交流成分Avd约为1.5V，所以交流放大倍数A，为3（=1.5VP-P10. sVP-P）。
            
    照片3.2是图3.1的电路中用耗尽型MOSFET 2SK241替换2SK184时勘。和Vd的波形。Vd的交流成分Avd与照片3.1相同，都是1.5V，所以AV=3。

             
  
    照片3.3是同样的电路中使用增强型MOSFET 2SK612时u。和Vd的渡形。它的VGS与2SK184完全不同，所以Vd的直流成分VD与照片3.1差别很大，但是Avd为1.5V，与照片3.1相同。因此这时也是AV=3。
    由此可以看出，即使使用VGS和g。完全不同的FET，只要RD和Rs的值相同，其结果如从式(3.11)得到的那样，A，是一定值。