是指集电极一发射极间RS1M(FR107)消耗的功率，为集电极电流Ic与集电极一发射极间电匪V CE的乘积，即将Pc一ICV CE，称为集电极耗散功率。由于集电极的耗散功率在集电极的PN结内转换为热，导致三极管内部温度上升，会烧坏管子（图2.25）。这里，有关Pc必须注意的问题是即使Pc在额定值以内，j。和VCE也不能超过其各自的额定值。例如，图2. 26为三极管2SC1815的情况，虚线表示Pc和Ic、VCE的最大极限，使用时绝不能采用超出虚线部分的值。
    并且集电极的功耗还与周围温度T。有关。即晶体三极管自身一被加热，周围的温度就上升，而周围温度上升，就导致集电极电流增加，晶体三极管则变得更热。如此反复地恶性循环称为热击穿，最终导致管子毁坏（图2.27）。因此，特别是对于功率三极管，散热板都使用铝板和铁板制成。

    还有，到目前为止讨论的周围温度通常为25℃，在小型晶体三极管的场合，不需要散热板。但是，周围温度变为25℃以上时，散热效果就变差，晶体三极管所能允许的集电极功耗的值（图2.28）变得小了。因此，使用小型晶体三极管的场合，最好选择晶体三极管的电源电压和使用时集电极电流的乘积在最大允许集电极功耗的一半以下。
    结温Tj
    是指能够使晶体三极管正常工作的最大结温。通常锗管为75～85℃，硅管为125～175℃。