飞兆半导W25X40BVSNIG体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，以满足设计人员对降低传导损耗和开关损耗的需求。该器件经专门设计，以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC-DC转换器的整体效率。FDMS86500L是采用行业标准5mm×6mm Power 56封装的器件，它结合了先进的封装技术和硅技术，显著降低了导通阻抗，实现更低的传导损耗。该器件还具有更好的品质因数、高效率和低功耗的特色，以期满足效率标准和法规的要求。
    FDMS86500L使用屏蔽栅极功率MOSFET技术，提供极低的开关损耗，结合该器件的低传导损耗，可为设计人员提供其所需的更高的功率密度。它还采用下一代增强型体二极管技术，以实现软恢复、MSL1稳固封装设计。

    ADI推出面向通信应用的宽带无源混频器：单通道混频器ADL5811和双通道混频器ADL5812。这两款混频器具有出色的线性度、低失真、低噪声和卓越的宽带频率性能。新器件集成一个宽带LO（本振）放大器、一个可编程RF巴伦、一个高线性度混频器内核、一个可编程IF滤波器和一个IF放大器，为设计多频段、单板接收机提供了可能。
    该混频器在单个器件中支持宽达700—2800MHz的频率范围，其输入三阶交调为24dBm，SSB噪声系数为1 1dB，功率转换增益为7dB。这些性能规格在整个工作频率范围内保持稳定。ADL5811和ADL58T2无源混频器设计用于宽带无线基础设施应用和软件定义无绒电应用，包括多频段／多标准蜂窝基站接收机、宽带无线电链路下变频器、多模式蜂窝中继器和微微蜂窝应用。