如前所述，FM调制电路利用变容二M4A5-256/128-10YC-12YI极管来控制变形考毕兹型振荡电路的振荡频率。振荡电路的晶体管Tri采用fT=550MHz的高频放大用晶体管2SC2668（东芝）（也可以使用fT在400M～500MHz以上的其他型号的晶体管）。
    表15.1列出2SC2668（东芝）的参数。Tri的基极电位用R3和R4固走在1.5V，发射极电流用Rs设定为0.4mA(≈(l.5V-O. 6V)/2.2k0)。
    改变频率用的变容二极管Di采用1SV101(东芝)。表15.2列出1SV101的参数。
    图15.7是1SV101电容量与反向电压的关系曲线，图15.8是它的Q值（性能参数，Q值愈高，电容器的损耗愈小）与反向电压的关系曲线。
    如图15.7所示，1SV101在2～14V反向电压范围内电容值的变化范围大约在40～8pF之间。从图15.8可以看出，当电压升高到一定程度时Q值下降。因此，通常变容二极管的偏压采用直流电压。这样变容二极管的电容量在加偏压的值为中心的范围内变化。由于这个电路是利用永久极化电介质电容器话筒输出的直流电位(约2. 8V)作为变容二极管的偏压，所以话筒的输出介入R2与Di连接。根据图15.7的曲线，Di是以30pF为中心变化。电阻R2的作用是为了减小变容二极管的阴极（也是振荡器共振电路的一部分）与话筒输出端之间的电容耦合，这里取R2—10kQ。
    图15.9是变容二极管部分的等效电路。通过R2与话筒的输出分离，等效为Di的电容CD1与Cl串联，连接到振荡器的共振电路。