为了使FET接通／断开，如图13.8所示，可以在2SK330昀栅极TPS2065DR一源极间接入电阻，在负电源与栅极间用开关的接通／断开进行控制（SW断开时VGS一OV则FET导通，SW接通时VGS一负电源电压则FET截止）。
    在使用2SK330的Y档和GR档器件的场合，如果VGS值比-3.5V更负，就能够截止，所以负电源的电压必须低于-3.5V。而且由于信号被输入时FET的源极电位就成了输入信号，所以即使源极电位因输入信号变动也必须满足VS<-3. 5V的关系。
    如图13.9所示，这个电路有可能输入最大为2VP-P的信号（参看设计指标），因此为了满足Vcs<-3.5V的关系，负电源电压-V DD的值必须比-4.5V更负。因此，取-VDD=-5V。
     Rc的作用只是给栅极提供电压，所以阻值多大都可以。但是，如果阻值太小，SW接通时就会有大电流从源极（一输入端）流向负电源。如果阻值太大，则会与FF,T的输入电容以及电路的布线电容形成低通滤波器，影响控制信号的开关速度。通常取几十千欧至几兆欧。
    电路设计指标中没有对开关速度作出具体规定，所以取RG一1M\Q（开关速度能够在lOOkHz下正常工作）。
    图13.8的SW可以采用NPN型双极晶体管发射极接地型开关电路（参见图13.6的Tr3）。取Rc=1MQ时流过Tr3的电流是弘A数量级的微小电流(取vi=+5VDc时，为(5V+5V)/lMfl=lOtiA）。而且由于截止时开关间加的电压是几V的数量级，所以使用的晶体管只要是NPN型，什么型号都可以。这里使用2SC2458(当然哪个档次的hFE都可以)。