开关用FET的选择
发布时间:2012/5/31 20:06:59 访问次数:731
开关器件可以使用JFET也可MADCSM0012以使用MOSFET，N沟、P沟器件都可以。不过这里考虑到容易获得以及价格因素，选择N沟JFET 2SK330（东芝）。
目前还无法确定电源电压和电路结构。不过从设计措标的输入信号和控制信
号电平等来考虑，选择栅极一源极间最大额定值GDS=-50V的2SK330在耐压方面是足够了（当然在确定电路的电源电压时应该在不超过GDS的范围）。
使用FET模拟开关时的导通电阻是器件跨导gm的倒数(注意：gM的单位是Q的倒数S)。由表3.2可知，2SK330的gM等于正向传输导纳IyfSl，最小为1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的场合，这个电路的导通电阻RON约为670Q,(约Ims／l.5ms)。能够满足设计指标中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些，就要选择gm更大的器件。一般来说MOSFET的gM要比JFET大，所以使用MOSFET可以作出RON小的模拟开关。在JFET的场合，由于IDSS愈大gM也就愈大，所以即使同样的器件，也应该选用IDSS大的档次。
目前还无法确定电源电压和电路结构。不过从设计措标的输入信号和控制信
号电平等来考虑，选择栅极一源极间最大额定值GDS=-50V的2SK330在耐压方面是足够了（当然在确定电路的电源电压时应该在不超过GDS的范围）。
使用FET模拟开关时的导通电阻是器件跨导gm的倒数(注意：gM的单位是Q的倒数S)。由表3.2可知，2SK330的gM等于正向传输导纳IyfSl，最小为1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的场合，这个电路的导通电阻RON约为670Q,(约Ims／l.5ms)。能够满足设计指标中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些，就要选择gm更大的器件。一般来说MOSFET的gM要比JFET大，所以使用MOSFET可以作出RON小的模拟开关。在JFET的场合，由于IDSS愈大gM也就愈大，所以即使同样的器件，也应该选用IDSS大的档次。
开关器件可以使用JFET也可MADCSM0012以使用MOSFET，N沟、P沟器件都可以。不过这里考虑到容易获得以及价格因素，选择N沟JFET 2SK330（东芝）。
目前还无法确定电源电压和电路结构。不过从设计措标的输入信号和控制信
号电平等来考虑，选择栅极一源极间最大额定值GDS=-50V的2SK330在耐压方面是足够了（当然在确定电路的电源电压时应该在不超过GDS的范围）。
使用FET模拟开关时的导通电阻是器件跨导gm的倒数(注意：gM的单位是Q的倒数S)。由表3.2可知，2SK330的gM等于正向传输导纳IyfSl，最小为1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的场合，这个电路的导通电阻RON约为670Q,(约Ims／l.5ms)。能够满足设计指标中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些，就要选择gm更大的器件。一般来说MOSFET的gM要比JFET大，所以使用MOSFET可以作出RON小的模拟开关。在JFET的场合，由于IDSS愈大gM也就愈大，所以即使同样的器件，也应该选用IDSS大的档次。
目前还无法确定电源电压和电路结构。不过从设计措标的输入信号和控制信
号电平等来考虑，选择栅极一源极间最大额定值GDS=-50V的2SK330在耐压方面是足够了（当然在确定电路的电源电压时应该在不超过GDS的范围）。
使用FET模拟开关时的导通电阻是器件跨导gm的倒数(注意：gM的单位是Q的倒数S)。由表3.2可知，2SK330的gM等于正向传输导纳IyfSl，最小为1.5ms。
因此在使用gm一1.5ms的器件的场合，这个电路的导通电阻RON约为670Q,(约Ims／l.5ms)。能够满足设计指标中RON <lkfl的要求。如果希望RoN更小些，就要选择gm更大的器件。一般来说MOSFET的gM要比JFET大，所以使用MOSFET可以作出RON小的模拟开关。在JFET的场合，由于IDSS愈大gM也就愈大，所以即使同样的器件，也应该选用IDSS大的档次。
上一篇：JFET模拟开关的设计
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相关技术资料- 5-31开关用FET的选择
- 相关IC型号
- MADCSM0012
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