图10.2是用MOSFET取代H电桥各PIC16C57C-04P开关的电路。H电桥的Sl和S3用P沟MOSFET源极接地型开关电路替换，S2和S4用N沟MOSFET源极接地型开关电路替换。
    功率MOSFET几乎都是增强型器件。N沟增强型器件当栅极电位比源极电位高时器件导通。P沟增强型器件当栅极电位比源极电位低时导通。因此当采用源极接地型开关电路时，如图10.2所示GND -侧使用N沟MOSFET，电源一侧使用P沟器件。但是，P沟功率MOSFET的品种少（价格也高），电学性能——导通电阻和开关速度等也不如N沟器件。所以在本章中，如图10.3所示，Sl～S4的所有开关完全采用N沟MOSFET。但是S1和S3采用源极跟随器型开关电路，S2和＆采用源极接地型开关电路（因为N沟器件电流流动的方向是漏极一源极，所有S1和S3必须采用源极跟随器型）。