图9.11是采用N沟MOSFET的源极MTM30N45跟随器型开关电路。这个电路的构成中只是换了图9.9电路中的FET(漏极负载电阻RD的值不同)。
    照片9.9是给图9.11的电路输入1MHz、OV/+5V方波时的输入输出波形。这个电路也与采用JFET的电路相同，输入输出的相位同相，其波形表现出高速动作的源极跟随器电路的性质。

    关于输入输出信号电平，当口i=OV时VO=OV，而当v1=+5V时VO=+3.4V(比+5V低1.6V)。这也是由于MOSFET所具有的增强特性。
    这个电路的基础也是源极跟随器，所以工作时源极电位保持一定的VGS值并追随栅极电位。由于N沟MOSFET具有增强特性，所以如果流过漏极电流，那么源极电位比栅极电位低。所以如照片9.9所示，当Vi=十5V时源极电位比栅极电位低1.6V(指示的电压)。
    从图9.6的传输特性可以看出，对于2SK612来说，当JD一3.4mA(一3.4V／lkfl)时正好VGS =1. 6V(照片9.7的N沟JFET的开关波形也是1.6V，这只是巧合)。当Vi一OV时Vcs =OV，ID为零，就是说器件处于截止状态，所以vo一OV。所以在源极跟随器型开关电路中，如果使用的是增强型MOSFET，只要把VBE置换为VGS，就能够方便地与双极晶体管置换。